低强度激光载波包络相位对电子能谱作用的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 激光技术的发展概述 | 第10-14页 |
| 1.2 原子和分子在强激光场中的电离 | 第14-23页 |
| 1.2.1 多光子电离和隧穿电离 | 第15-19页 |
| 1.2.2 非次序双电离 | 第19页 |
| 1.2.3 再散射模型 | 第19-23页 |
| 1.3 载波包络相位的研究进展 | 第23-34页 |
| 1.3.1 载波包络相位对光电子能谱的作用 | 第24-27页 |
| 1.3.2 载波包络相位对其他相关过程的作用 | 第27-30页 |
| 1.3.3 载波包络相位的标定和测量方法 | 第30-34页 |
| 1.4 本文的主要内容和结构 | 第34-36页 |
| 2 原子和分子在强激光场中的电离理论模型 | 第36-43页 |
| 2.1 强场近似模型 | 第36-39页 |
| 2.2 数值求解含时薛定谔方程 | 第39-43页 |
| 2.2.1 一维含时薛定谔方程的数值求解 | 第39-41页 |
| 2.2.2 二维含时薛定谔方程的数值求解 | 第41-43页 |
| 3 低光强下光电子能谱的载波包络相位依赖研究 | 第43-54页 |
| 3.1 研究背景 | 第43-44页 |
| 3.2 周期量级激光脉冲作用下原子的光电子能谱 | 第44-46页 |
| 3.2.1 光电子能谱的TDSE计算 | 第44-45页 |
| 3.2.2 再散射电子电离时间的计算 | 第45-46页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第46-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 4 总结与展望 | 第54-56页 |
| 4.1 总结 | 第54-55页 |
| 4.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 附录1 硕士期间发表的学术论文 | 第65页 |
