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慢电子速度成像法测定VIB族过渡族元素电子亲和势

摘要第3-4页
Abstract第4页
主要符号对照表第7-8页
第1章 研究背景第8-10页
    1.1 负离子研究与电子亲和势测定第8-9页
    1.2 关于VIB族过渡族元素电子亲和势测定的历史工作第9-10页
第2章 基本原理第10-21页
    2.1 原子电子亲和势的定义第10-11页
    2.2 光电效应与跃迁选择定则第11-12页
    2.3 Wigner阈值定理第12-13页
    2.4 光电子角分布第13-16页
        2.4.1 微分散射截面与Dyson轨道第13页
        2.4.2 脱附电子的平面波描述第13-15页
        2.4.3 角分布各向异性参数第15-16页
    2.5 速度成像方法原理与算法第16-21页
        2.5.1 反Abel变换第17-18页
        2.5.2 最大熵方法与MEVELER算法第18-21页
第3章 实验方法第21-33页
    3.1 以往工作采用的主要实验方法第22-29页
        3.1.1 LPES激光光脱附电子谱第22-24页
        3.1.2 LPT激光光脱附阈值方法第24-26页
        3.1.3 LPM激光光脱附显微镜第26-29页
    3.2 SEVI慢电子速度成像方法第29-33页
        3.2.1 SEVI基本原理与优势第29-31页
        3.2.2 SEVI方法具体实施第31-33页
第4章 实验仪器第33-36页
    4.1 源室第33-34页
    4.2 飞行室第34页
    4.3 探测室第34-36页
第5章 数据分析第36-49页
    5.1 铬(Cr)元素测定第36-40页
    5.2 钼(Mo)元素测定第40-44页
    5.3 钨(W)元素测定第44-49页
第6章 实验结论第49-50页
参考文献第50-54页
致谢第54-56页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第56页

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