基于相变存储器的双向数字运算结构及算法研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 相变存储器简介 | 第8-9页 |
| 1.2 相变存储器原理 | 第9-11页 |
| 1.3 多值存储技术 | 第11-13页 |
| 1.4 电阻漂移现象及双向剪裁 | 第13-14页 |
| 1.5 相变存储计算单元的研究背景 | 第14-15页 |
| 1.6 本文的研究目的和内容安排 | 第15-17页 |
| 2 相变存储器单元模型 | 第17-30页 |
| 2.1 相变存储器建模的演变 | 第17-18页 |
| 2.2 HSPICE物理模型 | 第18-22页 |
| 2.3 电路行为模型 | 第22-24页 |
| 2.4 等效性分析 | 第24-27页 |
| 2.5 参数修正 | 第27-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 基于相变存储器单元的逻辑运算 | 第30-41页 |
| 3.1 基础结构及外部电路设计 | 第30-31页 |
| 3.2 二值逻辑运算 | 第31-37页 |
| 3.2.1 二值逻辑运算流程 | 第33页 |
| 3.2.2 二值逻辑运算算法 | 第33-36页 |
| 3.2.3 双向剪裁实验及验证 | 第36-37页 |
| 3.3 多输入逻辑运算 | 第37-39页 |
| 3.3.1 带进位位的逻辑运算 | 第38页 |
| 3.3.2 三输入逻辑运算 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 基于相变存储器的算术运算 | 第41-48页 |
| 4.1 基本结构及外部电路设计 | 第41-42页 |
| 4.2 简单十进制算术运算 | 第42-44页 |
| 4.3 n位十进制算术运算 | 第44-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 5 总结与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 总结 | 第48-49页 |
| 5.2 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
