| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| §1.1 二硫化钼的发现及其实验制备 | 第13-18页 |
| §1.1.1 二硫化钼的发现 | 第13-15页 |
| §1.1.2 二硫化钼“自上而下”实验制备 | 第15-17页 |
| §1.1.3 二硫化钼“自下而上”实验制备 | 第17-18页 |
| §1.2 二硫化钼的电子结构 | 第18-19页 |
| §1.3 半导体带间跃迁理论及久保线性响应理论 | 第19-24页 |
| §1.3.1 半导体带间跃迁理论 | 第19-22页 |
| §1.3.2 久保线性响应理论 | 第22-24页 |
| §1.4 本文研究内容及科学意义 | 第24-26页 |
| 第二章 二硫化钼及其纳米带电子结构的磁电调控 | 第26-41页 |
| §2.1 研究背景及意义 | 第26页 |
| §2.2 理论模型与计算方法 | 第26-31页 |
| §2.3 数值结果与讨论 | 第31-39页 |
| §2.3.1 垂直电场作用下单层二硫化钼电子结构 | 第31-33页 |
| §2.3.2 磁近邻交换场及非共振光作用下单层二硫化钼电子结构 | 第33-37页 |
| §2.3.3 二硫化钼纳米带电子结构及调控 | 第37-39页 |
| §2.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 二硫化钼光学性质及其输运特性的磁电调控 | 第41-68页 |
| §3.1 研究背景及意义 | 第41-42页 |
| §3.2 理论模型与计算方法 | 第42-49页 |
| §3.2.1 共振圆/椭圆偏振光作用下单层二硫化钼模型及计算 | 第42-44页 |
| §3.2.2 非共振圆偏振光作用下单层二硫化钼模型及计算 | 第44-47页 |
| §3.2.3 外加电场和圆偏振光作用下单层二硫化钼模型及计算 | 第47-49页 |
| §3.3 数值结果与讨论 | 第49-66页 |
| §3.3.1 共振圆/椭圆偏振光作用下单层二硫化钼光学性质 | 第49-55页 |
| §3.3.2 非共圆偏振光作用下单层二硫化钼自旋/谷输运性质 | 第55-60页 |
| §3.3.3 单层二硫化钼光学特性电场调控 | 第60-66页 |
| §3.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 总结和展望 | 第68-71页 |
| §4.1 全文总结 | 第68-69页 |
| §4.2 本论文主要创新点 | 第69-70页 |
| §4.3 后续工作展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第80-81页 |
