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光催化材料体系中的电荷极化调控

摘要第5-9页
ABSTRACT第9-13页
第1章 绪论第17-41页
    1.1 引言第17-19页
    1.2 光催化反应机理第19-20页
    1.3 光催化材料的研究现状第20-21页
    1.4 光催化材料的发展第21-25页
        1.4.1 单一半导体光催化材料第21-22页
        1.4.2 新型复合光催化材料第22-25页
            1.4.2.1 金属-半导体复合光催化材料体系第22-23页
            1.4.2.2 半导体-半导体复合光催化材料体系第23-25页
    1.5 衡量光催化材料性能的化学参数第25-26页
    参考文献第26-41页
第2章 理论方法简介第41-51页
    2.1 第一性原理(First Principle)简介第41-43页
        2.1.1 Born-Oppenheimer(绝热)近似第41-42页
        2.1.2 Hartree-Fock近似第42-43页
    2.2 密度泛函理论简介第43-46页
        2.2.1 密度泛函理论基础第43-44页
            2.2.1.1 Tomas-Fermi-Dirac理论第43页
            2.2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第43页
            2.2.1.3 Kohn-Sham定理第43-44页
        2.2.2 交换关联泛函第44-46页
            2.2.2.1 局域密度近似(LDA)第45页
            2.2.2.2 广义梯度近似(GGA)第45页
            2.2.2.3 杂化泛函第45-46页
    2.3 量化计算软件包第46-47页
    参考文献第47-51页
第3章 金属-半导体异质结调控界面电荷极化第51-69页
    3.1 背景介绍第51-53页
    3.2 计算细节第53-54页
    3.3 结果与讨论第54-63页
        3.3.1 研究对象的选取第54-55页
        3.3.2 ZnS-CdS异质结的界面情况第55-56页
        3.3.3 Au-CdS结的界面极化第56-59页
        3.3.4 Au-CdS结对整个体系能带结构的影响第59页
        3.3.5 实验验证该设计体系的光催化性能第59-63页
    3.4 工作总结第63-64页
    参考文献第64-69页
第4章 半导体-半导体异质结调控界面电荷极化第69-83页
    4.1 背景介绍第69-71页
    4.2 计算细节第71-72页
    4.3 结果与讨论第72-77页
        4.3.1 实现太阳光全谱吸收的设计第72-73页
        4.3.2 Cu_2S-CdS异质结的界面情况第73-75页
        4.3.3 ZnS-CdS-Cu_(2-x)S体系的光吸收和LSPR效应第75-76页
        4.3.4 实验验证该设计体系的光催化性能第76-77页
    4.4 工作总结第77-78页
    参考文献第78-83页
第5章 亚表面缺陷调控材料内部电荷极化第83-103页
    5.1 背景介绍第83-85页
    5.2 计算细节与实验方法第85-87页
    5.3 结果与讨论第87-98页
        5.3.1 TiO_2中不同氧空位的结构与稳定性第87-94页
        5.3.2 TiO_2-O_v~(sub)的光吸收能力第94-95页
        5.3.3 TiO_2-O_v~(sub)的光生电子和空穴的分离第95页
        5.3.4 TiO_2-O_v~(sub)的催化能力第95-98页
    5.4 工作总结第98页
    参考文献第98-103页
第6章 Pd晶胞中单独Cu的极化电荷对催化性能的影响第103-113页
    6.1 背景介绍第103-104页
    6.2 计算细节第104-105页
    6.3 结果与讨论第105-109页
        6.3.1 Pd表面掺杂不同比例的Cu的吸附能力第105-107页
        6.3.2 不同比例的Cu-Pd合金的吸附能力第107-108页
        6.3.3 不同比例的Cu-Pd合金的催化能力第108-109页
    6.4 工作总结第109页
    参考文献第109-113页
致谢第113-115页
攻读博士期间发表的学术论文与取得的研究成果第115页

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