| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-27页 |
| 1.1 纳米科技简介 | 第16-17页 |
| 1.1.1 纳米科技的产生与发展 | 第16页 |
| 1.1.2 纳米材料的特性及分类 | 第16-17页 |
| 1.2 半导体纳米材料的合成方法 | 第17-20页 |
| 1.2.1 气相生长法 | 第18-19页 |
| 1.2.2 液相生长法 | 第19-20页 |
| 1.2.3 模板生长法 | 第20页 |
| 1.3 半导体纳米器件研究及应用 | 第20-26页 |
| 1.3.1 纳米场效应晶体管器件 | 第21-22页 |
| 1.3.2 纳米光电探测器 | 第22-23页 |
| 1.3.3 纳米太阳能电池 | 第23-24页 |
| 1.3.4 纳米传感器 | 第24-25页 |
| 1.3.5 纳米存储器 | 第25-26页 |
| 1.4 本课题选题背景和意义 | 第26-27页 |
| 第二章 实验工艺及表征设备与药品 | 第27-37页 |
| 2.1 实验工艺设备 | 第27-32页 |
| 2.2 实验表征设备 | 第32-36页 |
| 2.3 实验药品 | 第36-37页 |
| 第三章 硒化镉纳米带与纳米空心金颗粒的合成与修饰 | 第37-49页 |
| 3.1 前言 | 第37页 |
| 3.2 CdSe纳米带的合成及表征 | 第37-40页 |
| 3.2.1 合成步骤 | 第37-38页 |
| 3.2.2 表征 | 第38-40页 |
| 3.3 CdSe纳米带电学性能 | 第40-43页 |
| 3.3.1 场效应晶体管制备 | 第40-42页 |
| 3.3.2 场效应晶体管电学特性 | 第42-43页 |
| 3.4 纳米空心金颗粒的合成及修饰 | 第43-46页 |
| 3.4.1 合成步骤 | 第43-44页 |
| 3.4.2 纳米空心金颗粒修饰CdSe纳米带 | 第44-45页 |
| 3.4.3 纳米空心金颗粒及修饰后的表征 | 第45-46页 |
| 3.5 修饰HGNs后的CdSe纳米带场效应器件特性 | 第46-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 基于硒化镉纳米带等离子增强的光探测器研究 | 第49-58页 |
| 4.1 表面等离子体效应及光探测器的现状 | 第49-50页 |
| 4.2 HGNs@CdSe纳米带光探测器 | 第50-57页 |
| 4.2.1 HGNs@CdSe纳米带的光电特性 | 第51-53页 |
| 4.2.2 光学模拟分析 | 第53-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 基于硫化铋纳米带光电探测器性能研究 | 第58-67页 |
| 5.1 硫化铋纳米材料的研究背景 | 第58页 |
| 5.2 Bi_2S_3纳米带的合成及表征 | 第58-60页 |
| 5.3 HGNs@Bi_2S_3纳米带光探测器的研究 | 第60-61页 |
| 5.4 单层石墨烯/Bi_2S_3纳米带光探测器的研究 | 第61-66页 |
| 5.4.1 单层石墨烯的合成 | 第61-63页 |
| 5.4.2 单层石墨烯/Bi_2S_3纳米带肖特基结光探测器的制备 | 第63-65页 |
| 5.4.3 单层石墨烯/Bi_2S_3纳米带光探测器电学表征 | 第65-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 全文总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第75页 |
