| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 课题的来源及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 二维过渡金属硫族化合物概述 | 第11-17页 |
| 1.2.1 二维过渡金属硫族化合物的结构和性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 二维过渡金属硫族化合物的制备方法 | 第12-14页 |
| 1.2.3 二维过渡金属硫族化合物的应用 | 第14-17页 |
| 1.3 MoS_2的概述及其改性研究 | 第17-22页 |
| 1.3.1 MoS_2的简介 | 第17-18页 |
| 1.3.2 MoS_2在光催化领域的应用 | 第18-19页 |
| 1.3.3 MoS_2在超级电容器领域的应用 | 第19-20页 |
| 1.3.4 MoS_2的改性研究 | 第20-22页 |
| 1.4 MoSe_2的概述及其改性研究 | 第22-25页 |
| 1.4.1 MoSe_2的简介 | 第23页 |
| 1.4.2 MoSe_2在超级电容器领域的应用 | 第23-24页 |
| 1.4.3 MoSe_2的改性研究 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| 第2章 实验材料与研究方法 | 第26-36页 |
| 2.1 实验药品及实验仪器 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第26-27页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第27页 |
| 2.2 实验方法 | 第27-31页 |
| 2.2.1 SiQDs的合成 | 第28页 |
| 2.2.2 GO的制备 | 第28-29页 |
| 2.2.3 SiQDs辅助合成MoX_2(S、Se) | 第29-30页 |
| 2.2.4 SiQDs-MoX_2(S、Se)/rGO复合材料的制备 | 第30-31页 |
| 2.3 材料的表征测试 | 第31-33页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第31页 |
| 2.3.2 X射线衍射仪（XRD） | 第31页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第31-32页 |
| 2.3.4 激光拉曼光谱仪 | 第32页 |
| 2.3.5 傅立叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第32页 |
| 2.3.6 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第32页 |
| 2.3.7 比表面积和孔径分析(BET) | 第32页 |
| 2.3.8 紫外-可见漫反射光谱仪 | 第32-33页 |
| 2.3.9 液质联用仪(HLPC-MS) | 第33页 |
| 2.3.10 接触角分析仪 | 第33页 |
| 2.4 光催化性能测试 | 第33-34页 |
| 2.4.1 光催化反应装置 | 第33-34页 |
| 2.4.2 光催化反应动力学测试 | 第34页 |
| 2.5 超级电容器电化学性能测试 | 第34-36页 |
| 2.5.1 电极的制备 | 第34页 |
| 2.5.2 电化学性能的测试 | 第34-36页 |
| 第3章 硅量子点辅合成MoS_2及其光催化性能研究 | 第36-48页 |
| 3.1 SiQDs对MoS_2合成的影响 | 第36-39页 |
| 3.1.1 SiQDs辅助MoS_2的合成 | 第36-37页 |
| 3.1.2 SiQDs对MoS_2表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.3 SiQDs对MoS_2晶体结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 SiQDs-MoS_2的表征和光学性能测试 | 第39-44页 |
| 3.2.1 SiQDs-MoS_2形貌的表征 | 第39-40页 |
| 3.2.2 SiQDs-MoS_2化学组成的表征 | 第40-42页 |
| 3.2.3 SiQDs-MoS_2光学性能的表征 | 第42-44页 |
| 3.3 SiQDs-MoS_2的光催化性能分析 | 第44-47页 |
| 3.3.1 SiQDs-MoS_2的光催化动力学分析 | 第44-47页 |
| 3.3.2 SiQDs-MoS_2催化稳定性分析 | 第47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 SiQDs-MoS_2/rGO复合材料的制备及其电化学性能研究 | 第48-66页 |
| 4.1 SiQDs-MoS_2/rGO复合材料的制备和表征 | 第48-55页 |
| 4.1.1 SiQDs-MoS_2/rGO复合材料的制备 | 第48-49页 |
| 4.1.2 SiQDs对复合材料形貌的影响 | 第49-52页 |
| 4.1.3 SiQDs对复合材料晶体结构的影响 | 第52-55页 |
| 4.2 SiQDs对复合材料的调控机制探究 | 第55-60页 |
| 4.2.1 2D/3D复合结构的形成分析 | 第55-57页 |
| 4.2.2 1T/2H复合相的形成分析 | 第57-58页 |
| 4.2.3 SiQDs对复合材料生长过程调节探究 | 第58-60页 |
| 4.3 SiQDs-MoSe_2/rGO的电化学性能研究 | 第60-65页 |
| 4.3.1 rGO的电化学性能分析 | 第60-61页 |
| 4.3.2 复合材料的赝电容性能分析 | 第61-64页 |
| 4.3.3 复合材料的比容量及循环稳定性分析 | 第64页 |
| 4.3.4 复合材料的能量和功率密度分析 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 SiQDs-MoSe_2/rGO复合材料的制备及其电化学性能研究 | 第66-77页 |
| 5.1 SiQDs-MoSe_2/rGO复合材料的制备及表征 | 第66-72页 |
| 5.1.1 SiQDs-MoSe_2/rGO复合材料的制备 | 第66-67页 |
| 5.1.2 SiQDs-MoSe_2/rGO复合材料的形貌表征 | 第67-68页 |
| 5.1.3 SiQDs-MoSe_2/rGO复合材料的晶体结构表征 | 第68-70页 |
| 5.1.4 SiQDs的调控机制研究 | 第70-72页 |
| 5.2 超级电容器电化学性能研究 | 第72-75页 |
| 5.2.1 复合材料的赝电容性能分析 | 第72-74页 |
| 5.2.2 复合材料的比容量及循环稳定性分析 | 第74-75页 |
| 5.2.3 复合材料的能量和功率密度分析 | 第75页 |
| 5.3 本章小结 | 第75-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
