| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 引言 | 第14-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第14页 |
| 1.2 光催化水解制氢 | 第14-16页 |
| 1.3 光催化剂的种类 | 第16-18页 |
| 1.3.1 TiO_2及SrTiO | 第16页 |
| 1.3.2 金属氧化物 | 第16-17页 |
| 1.3.3 金属硫化物 | 第17页 |
| 1.3.4 氮化物 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的研究内容和意义 | 第18-19页 |
| 第2章 理论计算方法 | 第19-29页 |
| 2.1 密度泛函理论(DFT) | 第19-21页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn(HK)定理 | 第19-20页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham(KS)定理 | 第20-21页 |
| 2.2 线性响应理论 | 第21-25页 |
| 2.3 介电函数 | 第25-26页 |
| 2.4 RPA近似 | 第26页 |
| 2.5 光学性质的计算 | 第26-28页 |
| 2.6 VASP程序包 | 第28-29页 |
| 第3章 La+N共掺TiO_2对其光学性质的影响 | 第29-39页 |
| 3.1 结构模型与计算方法 | 第29-30页 |
| 3.2 本征和掺杂TiO_2的晶格参数 | 第30-31页 |
| 3.3 La/N掺杂对TiO_2光学性质的影响 | 第31-34页 |
| 3.4 态密度 | 第34-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 本征和Se/In掺杂TlAsS_2光催化水解制氢可行性分析 | 第39-46页 |
| 4.1 结构模型与计算方法 | 第39页 |
| 4.2 最优结构 | 第39-40页 |
| 4.3 价导带位置 | 第40-42页 |
| 4.4 光吸收系数 | 第42-43页 |
| 4.5 态密度 | 第43-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 不同元素掺杂改进几种典型宽带隙半导体的光催化水解活性 | 第46-69页 |
| 5.1 不同浓度的O族元素掺杂BaTiO | 第46-53页 |
| 5.1.1 结构模型和计算方法 | 第46-47页 |
| 5.1.2 最优结构 | 第47-48页 |
| 5.1.3 价导带位置 | 第48-49页 |
| 5.1.4 光学性质 | 第49-50页 |
| 5.1.5 态密度 | 第50-52页 |
| 5.1.6 小结 | 第52-53页 |
| 5.2 C族元素掺杂ZnS与SrIn_2O | 第53-62页 |
| 5.2.1 结构模型与计算方法 | 第54页 |
| 5.2.2 最优结构 | 第54-56页 |
| 5.2.3 价导带位置 | 第56-57页 |
| 5.2.4 态密度和光学性质 | 第57-59页 |
| 5.2.5 电荷的分离与迁移 | 第59-61页 |
| 5.2.6 小结 | 第61-62页 |
| 5.3 不同浓度Hg掺杂ZnX(X=S,Se) | 第62-69页 |
| 5.3.1 结构模型和计算方法 | 第62-63页 |
| 5.3.2 最优结构 | 第63页 |
| 5.3.3 价导带位置 | 第63-64页 |
| 5.3.4 光学性质 | 第64-65页 |
| 5.3.5 态密度 | 第65-66页 |
| 5.3.6 电荷的分离与迁移 | 第66-68页 |
| 5.3.7 小结 | 第68-69页 |
| 第6章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 总结 | 第69-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-83页 |
| 作者简历 | 第83页 |
