| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 课题背景 | 第9页 |
| 1.2 新型非挥发存储器介绍 | 第9-14页 |
| 1.2.1 铁电存储器 | 第10页 |
| 1.2.2 磁阻存储器 | 第10-11页 |
| 1.2.3 相变式存储器 | 第11-12页 |
| 1.2.4 阻变存储器 | 第12-14页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第14-18页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3.2 国内研究进展 | 第16-18页 |
| 1.4 铜氧化物的基本特性 | 第18-20页 |
| 1.4.1 氧化铜的基本特性 | 第19页 |
| 1.4.2 氧化亚铜的基本特性 | 第19-20页 |
| 1.5 铜氧化物薄膜制备方法 | 第20-22页 |
| 1.6 文章研究的内容 | 第22-23页 |
| 第2章 铜氧化物薄膜样品制备及表征方法 | 第23-28页 |
| 2.1 实验原料 | 第23页 |
| 2.2 材料制备 | 第23-25页 |
| 2.2.1 石英玻璃衬底的清洗 | 第23-24页 |
| 2.2.2 磁控溅射设备及方法 | 第24-25页 |
| 2.3 表征设备 | 第25-28页 |
| 2.3.1 X 射线衍射仪 | 第25-26页 |
| 2.3.2 原子力显微电镜技术（AFM） | 第26页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第26页 |
| 2.3.4 紫外可见近红外分光光度仪 | 第26-27页 |
| 2.3.5 霍尔测试 | 第27-28页 |
| 第3章 不同溅射模式制备铜氧化物薄膜及其性能研究 | 第28-43页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 铜氧化物薄膜的磁控溅射制备过程 | 第28-29页 |
| 3.3 直流溅射制备铜氧化物薄膜及性能表征与分析 | 第29-32页 |
| 3.4 射频溅射制备铜氧化物薄膜及性能表征与分析 | 第32-41页 |
| 3.4.1 氧气流量对铜氧化物薄膜结构的影响 | 第32-35页 |
| 3.4.2 氧气流量对铜氧化薄膜形貌的影响 | 第35-38页 |
| 3.4.3 氧气流量对铜氧化薄膜光学性能的影响 | 第38-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 溅射压强对铜氧化物薄膜结构与性能的影响 | 第43-52页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 不同溅射压强条件下铜氧化物薄膜性能的表征及分析 | 第44-50页 |
| 4.2.1 不同溅射压强条件下铜氧化物薄膜结构研究 | 第44-46页 |
| 4.2.2 不同溅射压强条件下铜氧化物薄膜表面形貌研究 | 第46-48页 |
| 4.2.3 不同溅射压强条件下铜氧化物薄膜的光学性能研究 | 第48-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 溅射时间对铜氧化物薄膜结构与性能的影响 | 第52-61页 |
| 5.1 引言 | 第52-53页 |
| 5.2 不同溅射时间条件下铜氧化物薄膜的性能表征及分析 | 第53-59页 |
| 5.2.1 不同溅射时间条件下铜氧化物薄膜的结构研究 | 第53-55页 |
| 5.2.2 不同溅射时间条件下铜氧化物薄膜的表面形貌研究 | 第55-57页 |
| 5.2.4 不同溅射时间条件下铜氧化物薄膜的光学性能研究 | 第57-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
