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矩阵变换器中双向IGBT模块的四步换流物理过程研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
目录第8-10页
第1章 绪论第10-15页
    1.1 选题背景及意义第10-11页
    1.2 矩阵变换器的国外研究现状第11-13页
        1.2.1 矩阵变换器的拓扑结构第11-12页
        1.2.2 矩阵变换器的调制策略第12页
        1.2.3 矩阵变换器的换流策略第12-13页
        1.2.4 矩阵变换器的应用研究第13页
    1.3 矩阵变换器的国内研究现状第13-14页
    1.4 本文研究的主要内容第14-15页
第2章 矩阵变换器的换流策略分析第15-25页
    2.1 矩阵变换器的概述第15-18页
        2.1.1 矩阵变换器的拓扑结构第15-16页
        2.1.2 矩阵变换器的双向开关第16-17页
        2.1.3 矩阵变换器的工作原理第17-18页
        2.1.4 矩阵变换器的调制策略第18页
    2.2 矩阵变换器的换流策略第18-23页
        2.2.1 电流型四步换流策略第19-21页
        2.2.2 电压型换流策略第21-23页
        2.2.3 不同换流策略的比较第23页
    2.3 换流过程的硬开关分析第23-24页
    2.4 本章小结第24-25页
第3章 电流型四步换流策略物理过程第25-39页
    3.1 三相输入-三相输出模拟仿真第25-26页
    3.2 两相输入-单相输出模拟仿真第26-29页
    3.3 实验平台的搭建第29-31页
        3.3.1 主电路及门极驱动电路第29-30页
        3.3.2 控制电路第30-31页
    3.4 四步换流过程中 IGBT 和二极管上的物理过程分析第31-38页
        3.4.1 当 U_A第32-33页
        3.4.2 当 U_A>U_B,I_O>0 时,测试结果及其分析第33-34页
        3.4.3 当 U_A0 时,测试结果及其分析第34-36页
        3.4.4 当 U_A>U_B,I_O<0 时,测试结果及其分析第36-38页
    3.5 本章小结第38-39页
第4章 系统参数变化对换流过程的影响第39-52页
    4.1 输入电压变化对换流过程的影响第40-43页
        4.1.1 输入电压变化对换流过程的影响分析第40-41页
        4.1.2 仿真及实验验证第41-43页
    4.2 输出电流变化对换流过程的影响第43-45页
        4.2.1 输出电流变化对换流过程的影响分析第43页
        4.2.2 仿真及实验验证第43-45页
    4.3 门极电阻变化对换流过程的影响第45-48页
        4.3.1 门极电阻变化对换流过程的影响分析第45-46页
        4.3.2 仿真及实验验证第46-48页
    4.4 杂散电感变化对换流过程的影响第48-51页
        4.4.1 杂散电感变化对换流过程的影响分析第48页
        4.4.2 仿真及实验验证第48-51页
    4.5 本章小结第51-52页
第5章 典型双向开关的四步换流物理过程研究第52-61页
    5.1 适用于矩阵变换器的三种双向开关第52-55页
        5.1.1 共发射极和共集电极反向串联开关第52-54页
        5.1.2 逆阻式 IGBT第54-55页
    5.2 双向开关四步换流物理过程比较分析第55-57页
    5.3 双向开关四步换流损耗及开关应力对比第57-60页
        5.3.1 双向开关的器件损耗第57-59页
        5.3.2 双向开关换流过程的应力第59-60页
    5.4 本章小节第60-61页
结论第61-63页
参考文献第63-66页
致谢第66-67页
附录 A 攻读学位期间发表的学术论文目录第67页

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