长波红外晶体CdSe的高压熔体法生长
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 背景介绍 | 第10-12页 |
| 1.2 红外非线性晶体介绍 | 第12-14页 |
| 1.3 硒化镉(CdSe)晶体简介 | 第14-15页 |
| 1.4 CdSe研究现状 | 第15-17页 |
| 1.5 生长方法 | 第17-18页 |
| 1.5.1 溶剂法 | 第17页 |
| 1.5.2 助溶剂法 | 第17页 |
| 1.5.3 气相法 | 第17-18页 |
| 1.6 课题研究内容及意义 | 第18页 |
| 小结 | 第18-19页 |
| 第二章 熔体法生长理论 | 第19-28页 |
| 2.1 生长原理 | 第19-24页 |
| 2.1.1 结晶驱动力 | 第19-20页 |
| 2.1.2 成核理论 | 第20-22页 |
| 2.1.3 热传输 | 第22-24页 |
| 2.2 熔体法分类 | 第24-27页 |
| 2.2.1 坩埚下降法(布里奇曼法) | 第24-25页 |
| 2.2.2 晶体提拉法 | 第25-26页 |
| 2.2.3 温度梯度熔体法 | 第26-27页 |
| 小结 | 第27-28页 |
| 第三章 CdSe晶体生长 | 第28-36页 |
| 3.1 生长前准备步骤 | 第28-32页 |
| 3.1.1 坩埚选择 | 第28-29页 |
| 3.1.2 高品质原料的制备 | 第29-30页 |
| 3.1.3 晶体生长理论研究 | 第30-32页 |
| 3.2 单晶生长 | 第32-34页 |
| 3.2.1 生长参数选择 | 第32-33页 |
| 3.2.2 晶体具体生长过程 | 第33-34页 |
| 小结 | 第34-36页 |
| 第四章 CdSe晶体性能测试和表征 | 第36-42页 |
| 4.1 XRD分析 | 第36页 |
| 4.2 X射线双晶摇摆曲线 | 第36-37页 |
| 4.3 晶体表面形貌检测 | 第37-38页 |
| 4.4 晶体成分检测 | 第38-39页 |
| 4.5 晶体光学性能 | 第39-40页 |
| 小结 | 第40-42页 |
| 第五章 CdSe晶体激光性能探索 | 第42-52页 |
| 5.1 非线性光学相位匹配 | 第42-46页 |
| 5.2 晶体元件的加工 | 第46页 |
| 5.3 晶体元件抗激光性能测试 | 第46-51页 |
| 5.3.1 损伤阈值 | 第46-47页 |
| 5.3.2 损伤判断和损伤阈值表示 | 第47页 |
| 5.3.3 CdSe损伤阈值测试实验 | 第47-51页 |
| 小结 | 第51-52页 |
| 第六章 全文总结和后期展望 | 第52-54页 |
| 6.1 全文总结 | 第52-53页 |
| 6.2 后期展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 在读期间发表论文及其他研究成果 | 第63页 |
