AlGaInAs/InP高线性半导体激光器设计与性能分析
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 本论文的研究目的和研究意义 | 第11-13页 |
| 1.2 量子阱激光器 | 第13-17页 |
| 1.2.1 半导体激光器 | 第13页 |
| 1.2.2 量子阱激光器 | 第13-16页 |
| 1.2.3 用于发光的半导体材料 | 第16-17页 |
| 1.3 量子阱激光器的应用 | 第17-19页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第19-23页 |
| 第二章 量子阱激光器理论 | 第23-35页 |
| 2.1 能带结构和电子状态 | 第23-27页 |
| 2.2 载流子的分布与复合发光 | 第27-29页 |
| 2.3 速率方程与稳态解 | 第29-31页 |
| 2.4 量子阱激光器的特性 | 第31-34页 |
| 2.4.1 阈值特性 | 第31-32页 |
| 2.4.2 功率效率和量子效率 | 第32-33页 |
| 2.4.3 驰豫振荡 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 激光器量子阱层的优化 | 第35-41页 |
| 3.1 量子阱个数的选取 | 第35-38页 |
| 3.2 势阱区厚度的选取 | 第38-39页 |
| 3.3 势垒区厚度的选取 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 激光器的设计与制作 | 第41-53页 |
| 4.1 激光器芯片的结构设计 | 第41-50页 |
| 4.1.1 半导体材料的选择 | 第41-44页 |
| 4.1.2 芯片的设计 | 第44-48页 |
| 4.1.3 芯片的结构与参数 | 第48-50页 |
| 4.2 激光器芯片的生产工艺 | 第50-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 芯片测试与结论 | 第53-65页 |
| 5.1 频响带宽测试 | 第53-55页 |
| 5.2 阈值电流的测量 | 第55-57页 |
| 5.3 光电特性参数的测量 | 第57-60页 |
| 5.4 非线性失真度的测量 | 第60-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 工作总结 | 第65-66页 |
| 6.2 论文展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 硕士期间取得的成果 | 第75页 |
