| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-15页 |
| 1.1.1 Nb_3Sn超导材料的研究背景及应用 | 第10-12页 |
| 1.1.2 超导体的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.1.3 超导基本理论发展概述 | 第14-15页 |
| 1.2 Nb_3Sn低温超导材料研究意义 | 第15-18页 |
| 1.2.1 Nb_3Sn超导材料的多尺度特性及影响 | 第15-18页 |
| 1.3 Nb_3Sn超导材料力-电磁耦合行为的研究现状 | 第18-27页 |
| 1.3.1 Nb_3Sn超导材料力-电磁耦合行为的实验研究 | 第18-22页 |
| 1.3.2 Nb_3Sn超导材料力-电磁耦合行为的本构模型研究 | 第22-23页 |
| 1.3.3 Nb_3Sn超导材料力-电磁耦合行为的有限元分析研究 | 第23-27页 |
| 1.4 本文研究内容及方法 | 第27-30页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第27页 |
| 1.4.2 研究方法 | 第27-30页 |
| 第二章 Nb_3Sn单晶费米面电子态密度随应变退化模型 | 第30-42页 |
| 2.1 应变作用下Nb_3Sn单晶费米面电子态密度的演化模型 | 第30-32页 |
| 2.2 Nb_3Sn单晶费米面电子态密度演化模型随不同加载模式的退化形式 | 第32-35页 |
| 2.3 应变作用下Nb_3Sn单晶临界温度的退化与费米面态密度演化关联 | 第35-36页 |
| 2.4 模型应用与定量预测结果的讨论 | 第36-41页 |
| 2.4.1 Nb_3Sn单晶费米面上电子态密度随应变退化模型定量分析 | 第36-38页 |
| 2.4.2 Nb_3Sn单晶临界温度随应变退化定量分析 | 第38-39页 |
| 2.4.3 Nb_3Sn多晶及复合超导体临界温度随应变退化模型分析 | 第39-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 Nb_3Sn多晶材料在静水压载荷下的有限元分析 | 第42-50页 |
| 3.1 Nb_3Sn多晶体有限元模型 | 第42-45页 |
| 3.1.1 Nb_3SnVoronoi多晶体的有限元模型信息 | 第42-44页 |
| 3.1.2 Nb_3Sn多晶模型晶粒取向赋予方法 | 第44-45页 |
| 3.2 Nb_3Sn Voronoi多晶体的有限元模型计算及结果讨论 | 第45-49页 |
| 3.2.1 Nb_3Sn多晶体静水压下有限元数值计算的Mises等效应力分析 | 第45-47页 |
| 3.2.2 Nb_3Sn多晶体的有限元模型数值计算结果分析 | 第47-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 静水压力作用下Nb_3Sn多晶体超导临界温度退化初步分析 | 第50-54页 |
| 4.1 静水压力作用下Nb_3Sn多晶体超导临界温度退化分析步骤 | 第50页 |
| 4.2 Nb_3Sn多晶体临界温度退化有限元分析 | 第50-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 5.1 本文主要结论 | 第54页 |
| 5.2 本文展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第68页 |
