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基于电光/饱和吸收体双损耗调制高峰值功率单锁模脉冲激光特性研究

中文摘要第10-12页
ABSTRACT第12-14页
第一章 引言第15-35页
    §1.1 LD泵浦全固态脉冲激光器第16-17页
    §1.2 脉冲激光技术概况第17-22页
        1.2.1 调Q技术第17-19页
        1.2.2 锁模技术第19-20页
        1.2.3 调Q锁模技术第20-22页
    §1.3 高峰值功率亚纳秒激光器第22-23页
    §1.4 本论文所用激光增益介质简介第23-24页
    §1.5 本论文的主要研究内容第24-27页
    参考文献第27-35页
第二章 532 nm电光/C-SESAM双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性的实验及理论研究第35-53页
    §2.1 C-SESAM的结构和工作原理第36-37页
    §2.2 532 nm高峰值功率Nd:Lu_(0.5)Y_(0.5)VO_4/KTP单锁模激光特性实验研究第37-44页
        2.2.1 实验装置第37-38页
        2.2.2 实验结果及分析第38-44页
    §2.3 532 nm高峰值功率Nd:Lu_(0.5)Y_(0.5)VO_4/KTP单锁模激光理论分析第44-50页
    参考文献第50-53页
第三章 532 nm电光/Cr~(4+):YAG双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性的实验及理论研究第53-70页
    §3.1 Cr~(4+):YAG晶体的可饱和吸收机制第53-54页
    §3.2 532 nm高峰值功率Nd:Lu_(0.15)Y_(0.85)VO_4/KTP单锁模特性实验研究第54-60页
        3.2.1 实验装置第54-55页
        3.2.2 实验结果及讨论第55-60页
    §3.3 532 nm高峰值功率Nd:Lu_(0.15)Y_(0.85)VO_4/KTP单锁模激光器的理论分析第60-68页
        3.3.1 电光/Cr~(4+):YAG双损耗调制理论模型第60-62页
        3.3.2 数值模拟结果分析第62-68页
    参考文献第68-70页
第四章 1064 nm电光/CNTs-SA双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究第70-84页
    §4.1 本论文所用碳纳米管简介第70-74页
        4.1.1 CNTs的结构特性第70-71页
        4.1.2 CNT-SAs的制备第71-72页
        4.1.3 CNT-SAs的非线性光学性质第72-74页
    §4.2 电光/SWCNT-SA、电光/DWCNT-SA和电光/MWCNT-SA双损耗调制单锁模激光特性研究第74-80页
        4.2.1 实验装置第74页
        4.2.2 实验结果及讨论第74-80页
    参考文献第80-84页
第五章 基于电光——新型二维材料的双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究第84-114页
    §5.1 新型二维材料可饱和吸收体简介第85-91页
        5.1.1 石墨烯(Graphene)第85-87页
        5.1.2 二硫化钨(WS_2)第87-89页
        5.1.3 黑磷(Blackphosphorus, BP)第89-91页
    §5.2 532 nm电光/Graphene双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究第91-96页
        5.2.1 实验装置第91页
        5.2.2 实验结果及讨论第91-96页
    §5.3 电光/WS_2双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究第96-104页
        5.3.1 1064 nm电光/WS_2双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究第96-99页
        5.3.2 532 nm电光/WS_2双损耗调制高峰值功率单锁模绿激光特性研究第99-104页
    §5.4 1064 nm电光/BP双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究第104-108页
        5.4.1 实验装置第104页
        5.4.2 实验结果及讨论第104-108页
    参考文献第108-114页
第六章 全文总结第114-117页
    §6.1本文的主要研究内容第114-116页
    §6.2 待研究的问题和不足第116-117页
致谢第117-119页
攻读学位期间参加的项目、获得的奖励及发表的论文第119-121页
附:外文论文两篇第121-134页
学位论文评阅及答辩情况表第134页

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