中文摘要 | 第10-12页 |
ABSTRACT | 第12-14页 |
第一章 引言 | 第15-35页 |
§1.1 LD泵浦全固态脉冲激光器 | 第16-17页 |
§1.2 脉冲激光技术概况 | 第17-22页 |
1.2.1 调Q技术 | 第17-19页 |
1.2.2 锁模技术 | 第19-20页 |
1.2.3 调Q锁模技术 | 第20-22页 |
§1.3 高峰值功率亚纳秒激光器 | 第22-23页 |
§1.4 本论文所用激光增益介质简介 | 第23-24页 |
§1.5 本论文的主要研究内容 | 第24-27页 |
参考文献 | 第27-35页 |
第二章 532 nm电光/C-SESAM双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性的实验及理论研究 | 第35-53页 |
§2.1 C-SESAM的结构和工作原理 | 第36-37页 |
§2.2 532 nm高峰值功率Nd:Lu_(0.5)Y_(0.5)VO_4/KTP单锁模激光特性实验研究 | 第37-44页 |
2.2.1 实验装置 | 第37-38页 |
2.2.2 实验结果及分析 | 第38-44页 |
§2.3 532 nm高峰值功率Nd:Lu_(0.5)Y_(0.5)VO_4/KTP单锁模激光理论分析 | 第44-50页 |
参考文献 | 第50-53页 |
第三章 532 nm电光/Cr~(4+):YAG双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性的实验及理论研究 | 第53-70页 |
§3.1 Cr~(4+):YAG晶体的可饱和吸收机制 | 第53-54页 |
§3.2 532 nm高峰值功率Nd:Lu_(0.15)Y_(0.85)VO_4/KTP单锁模特性实验研究 | 第54-60页 |
3.2.1 实验装置 | 第54-55页 |
3.2.2 实验结果及讨论 | 第55-60页 |
§3.3 532 nm高峰值功率Nd:Lu_(0.15)Y_(0.85)VO_4/KTP单锁模激光器的理论分析 | 第60-68页 |
3.3.1 电光/Cr~(4+):YAG双损耗调制理论模型 | 第60-62页 |
3.3.2 数值模拟结果分析 | 第62-68页 |
参考文献 | 第68-70页 |
第四章 1064 nm电光/CNTs-SA双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究 | 第70-84页 |
§4.1 本论文所用碳纳米管简介 | 第70-74页 |
4.1.1 CNTs的结构特性 | 第70-71页 |
4.1.2 CNT-SAs的制备 | 第71-72页 |
4.1.3 CNT-SAs的非线性光学性质 | 第72-74页 |
§4.2 电光/SWCNT-SA、电光/DWCNT-SA和电光/MWCNT-SA双损耗调制单锁模激光特性研究 | 第74-80页 |
4.2.1 实验装置 | 第74页 |
4.2.2 实验结果及讨论 | 第74-80页 |
参考文献 | 第80-84页 |
第五章 基于电光——新型二维材料的双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究 | 第84-114页 |
§5.1 新型二维材料可饱和吸收体简介 | 第85-91页 |
5.1.1 石墨烯(Graphene) | 第85-87页 |
5.1.2 二硫化钨(WS_2) | 第87-89页 |
5.1.3 黑磷(Blackphosphorus, BP) | 第89-91页 |
§5.2 532 nm电光/Graphene双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究 | 第91-96页 |
5.2.1 实验装置 | 第91页 |
5.2.2 实验结果及讨论 | 第91-96页 |
§5.3 电光/WS_2双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究 | 第96-104页 |
5.3.1 1064 nm电光/WS_2双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究 | 第96-99页 |
5.3.2 532 nm电光/WS_2双损耗调制高峰值功率单锁模绿激光特性研究 | 第99-104页 |
§5.4 1064 nm电光/BP双损耗调制高峰值功率单锁模激光特性研究 | 第104-108页 |
5.4.1 实验装置 | 第104页 |
5.4.2 实验结果及讨论 | 第104-108页 |
参考文献 | 第108-114页 |
第六章 全文总结 | 第114-117页 |
§6.1本文的主要研究内容 | 第114-116页 |
§6.2 待研究的问题和不足 | 第116-117页 |
致谢 | 第117-119页 |
攻读学位期间参加的项目、获得的奖励及发表的论文 | 第119-121页 |
附:外文论文两篇 | 第121-134页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第134页 |