| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-20页 |
| 1.1 微电子封装系统概述 | 第7-9页 |
| 1.1.1 微电子封装系统简介 | 第7-8页 |
| 1.1.2 微电子封装材料发展现状 | 第8-9页 |
| 1.2 微电子封装用陶瓷封装基板 | 第9-13页 |
| 1.2.1 AlN陶瓷结构及烧结制备 | 第10-12页 |
| 1.2.2 AlN陶瓷金属化 | 第12-13页 |
| 1.3 AlN陶瓷厚膜金属化浆料研究 | 第13-18页 |
| 1.3.1 厚膜导体浆料 | 第13-15页 |
| 1.3.2 超细贵金属粉体研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4 论文选题及研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 实验及测试 | 第20-26页 |
| 2.3 原料与设备 | 第20-22页 |
| 2.3.1 实验用主要原料 | 第20-21页 |
| 2.3.2 实验用器皿及设备 | 第21-22页 |
| 2.4 实验 | 第22-24页 |
| 2.4.1 金属相金、铂粉体的制备 | 第22页 |
| 2.4.2 有机载体的制备 | 第22-23页 |
| 2.4.3 玻璃粉体制备 | 第23页 |
| 2.4.4 金属化浆料的制备及AlN厚膜金属化 | 第23-24页 |
| 2.5 测试与表征 | 第24-26页 |
| 2.5.1 SEM显微结构分析 | 第24页 |
| 2.5.2 EDS元素分析 | 第24页 |
| 2.5.3 XRD测试分析 | 第24页 |
| 2.5.4 可焊性测试 | 第24-26页 |
| 第三章 贵金属粉体的制备 | 第26-51页 |
| 3.3 乙二醇为还原剂、PVP为分散剂制备金粉体 | 第26-32页 |
| 3.3.1 降温冷却方式对产物形貌的影响 | 第27页 |
| 3.3.2 分散剂含量对粉体形貌的影响 | 第27-31页 |
| 3.3.3 XRD物相分析 | 第31-32页 |
| 3.4 乙二醇为还原剂，聚乙二醇为分散剂制备金铂粉体 | 第32-40页 |
| 3.4.1 采用PEG400 为分散剂单独制备Pt粉体 | 第32-36页 |
| 3.4.2 采用PEG400 为分散剂单独制备Au | 第36页 |
| 3.4.3 采用PEG400 为分散剂同时还原制备金铂复合粉体 | 第36-40页 |
| 3.5 化学还原法制备金、铂及金铂合金的制备及表征 | 第40-49页 |
| 3.5.1 柠檬酸钠为还原剂制备Au粉体 | 第41-44页 |
| 3.5.2 硼氢化钠为还原剂制备Au、Pt粉体 | 第44-49页 |
| 3.6 机械混合制备金/铂复合粉体 | 第49-51页 |
| 第四章 AlN基片厚膜金属化Au/Pt浆料研究 | 第51-60页 |
| 4.3 金属化浆料的制备 | 第51-52页 |
| 4.4 金/铂金属化层分析 | 第52-56页 |
| 4.5 金属化层可焊性 | 第56-60页 |
| 4.5.1 金锗焊料 | 第56-58页 |
| 4.5.2 焊接后断面形貌分析 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
