| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第6-12页 |
| §1.1 研究锗硅纳米线阵列结构的意义 | 第6-8页 |
| §1.2 纳米线生长方法介绍 | 第8-10页 |
| §1.2.1 纵向纳米线生长方法介绍 | 第8-9页 |
| §1.2.2 横向纳米线生长方法介绍 | 第9-10页 |
| §1.3 半导体纳米线输运性质研究现状 | 第10-11页 |
| §1.4 本文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 有序纵向Si纳米线的制备与表征 | 第12-21页 |
| §2.1 纵向Si纳米线制备与表征技术 | 第12-17页 |
| §2.1.1 金属催化腐蚀技术 | 第12-15页 |
| §2.1.2 纳米球自组装方法介绍 | 第15-16页 |
| §2.1.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第16-17页 |
| §2.2 实验过程介绍 | 第17-18页 |
| §2.2.1 硅片清洗过程介绍 | 第17-18页 |
| §2.2.2 金属催化腐蚀过程介绍 | 第18页 |
| §2.3 金属催化腐蚀结果 | 第18-21页 |
| §2.3.1 无序纳米线腐蚀结果 | 第18-19页 |
| §2.3.2 有序纳米线腐蚀结果 | 第19-21页 |
| 第三章 横向GeSi纳米线阵列的制备与测试系统介绍 | 第21-29页 |
| §3.1 横向GeSi纳米线阵列生长及表征 | 第21-23页 |
| §3.1.1 横向GeSi纳米线阵列的生长方法 | 第21-22页 |
| §3.1.2 横向GeSi纳米线阵列的表征 | 第22-23页 |
| §3.2 输运性质测量样品制备 | 第23-26页 |
| §3.2.1 光刻及等离子刻蚀 | 第24-25页 |
| §3.2.2 接触电极制作 | 第25-26页 |
| §3.3 PPMS及样品测试方法 | 第26-29页 |
| 第四章 横向GeSi纳米线阵列的输运特性研究 | 第29-46页 |
| §4.1 霍尔效应(Hall Effect)测试 | 第29-31页 |
| §4.2 横向GeSi纳米线输运特性 | 第31-37页 |
| §4.2.1 Si衬底输运特性 | 第31-32页 |
| §4.2.2 GeSi纳米线输运特性 | 第32-37页 |
| §4.3 横向GeSi纳米线输运特性理论研究 | 第37-46页 |
| §4.3.1 磁阻及自选轨道耦合 | 第37-40页 |
| §4.3.2 输运理论模型 | 第40-42页 |
| §4.3.3 不同自旋载流子迁移率差异分析 | 第42-46页 |
| 第五章 总结及展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 发表文章 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |