| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 电双稳存储器件（阻变存储器） | 第9页 |
| 1.2 基于纳米材料电双稳存储器的研究进展 | 第9-13页 |
| 1.2.1 基于单质金属纳米颗粒/聚合物的电双稳存储器件 | 第10-11页 |
| 1.2.2 基于二元纳米材料/聚合物电双稳存储器件 | 第11-12页 |
| 1.2.3 基于多元纳米材料/聚合物电双稳存储器件 | 第12页 |
| 1.2.4 基于碳纳米材料/聚合物电双稳存储器件 | 第12-13页 |
| 1.3 电场作用下半导体薄膜载流子传输过程 | 第13-16页 |
| 1.3.1 热电子发射（thermionic emission, TE） | 第14页 |
| 1.3.2 空间电荷限制电流（SCLC） | 第14-15页 |
| 1.3.3 FN隧穿（FN tunneling） | 第15-16页 |
| 1.3.4 欧姆传导（Ohmic conduction） | 第16页 |
| 1.4 电双稳存储器的转变机制 | 第16-19页 |
| 1.4.1 导电细丝理论 | 第16-18页 |
| 1.4.2 陷阱控制的空间电荷限制电流理论 | 第18页 |
| 1.4.3 与界面势垒相关的理论 | 第18-19页 |
| 1.4.4 极化理论 | 第19页 |
| 1.5 电双稳存储器性能参数 | 第19-20页 |
| 1.6 本论文涉及的表征手段和测试方法 | 第20-21页 |
| 1.6.1 X-射线衍射 (XRD) | 第20页 |
| 1.6.2 扫描电子显微镜配备及能量散射光谱仪 (SEM) | 第20页 |
| 1.6.3 光致发光 (PL)光谱 | 第20页 |
| 1.6.4 紫外-可见吸收 (UV-Vis absorption) | 第20页 |
| 1.6.5 傅里叶红外变换 (FTIR)光谱 | 第20-21页 |
| 1.6.6 半导体参数分析仪 (Semiconductor parameter analyzer) | 第21页 |
| 1.6.7 原子力显微镜 (AFM) | 第21页 |
| 1.7 本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 基于ZCIS NCs/PMMA复合电双稳存储器机制的研究 | 第22-33页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 高温合成四元ZCIS NCs的制备与表征 | 第22-25页 |
| 2.2.1 高温合成四元ZCIS NCs | 第22-24页 |
| 2.2.2 四元ZCIS NCs的晶体结构、表面形貌及光学表征 | 第24-25页 |
| 2.3 基于ZCIS NCs/PMMA复合电双稳器工作机制研究 | 第25-32页 |
| 2.3.1 基于ZCIS NCs/MMA复合电双稳器件的结构设计与制备 | 第25-27页 |
| 2.3.2 基于ZCIS NCs/MMA复合电双稳器件性能表征和机制讨论 | 第27-30页 |
| 2.3.3 电极修饰对器件双稳性能的影响 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 基于PVP/CDs/PVP复合电双稳存储器件工作机制研究 | 第33-41页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 CDs材料的制备和表征 | 第33-36页 |
| 3.2.1 CDs的高温热分解制备和ZnO纳米晶溶胶的合成 | 第33-35页 |
| 3.2.2 ZnO纳米晶和CDs材料的表征 | 第35-36页 |
| 3.3 PVP/CDs/PVP复合电双稳器件的制备与性能表征 | 第36-40页 |
| 3.3.1 Al/PVP/CDs/PVP/ITO/Glass器件的制备 | 第36页 |
| 3.3.2 Al/PVP/CDs/PVP/ITO/Glass双稳特性分析 | 第36-38页 |
| 3.3.3 ZnO插入层对器件Al/PVP/CDs/PVP/ITO/Glass双稳特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.4 Al基底对PVP/CDs/PVP复合薄膜双稳器件性能的研究 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于PMMA/CDs/PEDOT:PSS复合薄膜的双稳存储器件工作机制研究 | 第41-49页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 CDs表面官能团分析 | 第41-42页 |
| 4.3 器件的制备和表征 | 第42-48页 |
| 4.3.1 器件Al/PMMA/CDs/PEDOT:PSS/ITO的制备 | 第42-43页 |
| 4.3.2 PMMA/CDs/PEDOT:PSS复合双稳器件的性能分析 | 第43-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结和展望 | 第49-51页 |
| 5.1 全文总结 | 第49-50页 |
| 5.2 工作展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
