| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 AlN薄膜的结构 | 第9-10页 |
| 1.2 AlN薄膜的性质 | 第10页 |
| 1.3 AlN薄膜的应用 | 第10-11页 |
| 1.4 AlN薄膜的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.5 AlN薄膜的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.6 本文研究的目的及内容 | 第15-16页 |
| 2 薄膜的制备与表征方法 | 第16-23页 |
| 2.1 磁控溅射原理 | 第16-17页 |
| 2.2 射频反应磁控溅射实验装置 | 第17-18页 |
| 2.3 AlN薄膜的制备流程 | 第18-19页 |
| 2.3.1 实验准备 | 第18-19页 |
| 2.3.2 实验操作步骤 | 第19页 |
| 2.4 AlN薄膜的测试与表征 | 第19-23页 |
| 2.4.1 傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR) | 第19-21页 |
| 2.4.2 X射线衍射光谱(XRD) | 第21页 |
| 2.4.3 台阶仪 | 第21-23页 |
| 3 利用射频反应磁控溅射制备AlN多晶薄膜材料 | 第23-39页 |
| 3.1 气压对AlN多晶薄膜的影响 | 第23-27页 |
| 3.1.1 AlN薄膜的化学结构分析 | 第24-25页 |
| 3.1.2 AlN薄膜的沉积速率分析 | 第25-26页 |
| 3.1.3 AlN薄膜的晶体结构分析 | 第26-27页 |
| 3.2 基片温度对多晶AlN薄膜的影响 | 第27-31页 |
| 3.2.1 AlN薄膜的化学结构分析 | 第28-29页 |
| 3.2.2 AlN薄膜的沉积速率分析 | 第29页 |
| 3.2.3 AlN薄膜的晶体结构分析 | 第29-31页 |
| 3.3 N_2流量所占百分比对AlN多晶薄膜的影响 | 第31-34页 |
| 3.3.1 AlN薄膜的化学结构分析 | 第31-32页 |
| 3.3.2 AlN薄膜的沉积速率分析 | 第32-33页 |
| 3.3.3 AlN薄膜的晶体结构分析 | 第33-34页 |
| 3.4 靶基距对AlN薄膜晶面择优取向的影响 | 第34-38页 |
| 3.4.1 AlN薄膜的化学结构分析 | 第34-35页 |
| 3.4.2 AlN薄膜的沉积速率分析 | 第35-36页 |
| 3.4.3 AlN薄膜的晶体结构分析 | 第36-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 利用FT-IR定量表征AlN薄膜的晶面择优取向 | 第39-46页 |
| 4.1 多晶AlN薄膜化学键的振动特性 | 第39-40页 |
| 4.2 AlN薄膜傅里叶变换红外光谱的定量分析 | 第40-41页 |
| 4.2.1 AlN薄膜傅里叶变换红外光谱定量分析的基本原理 | 第40页 |
| 4.2.2 AlN薄膜傅里叶变换红外光谱的定量分析方法 | 第40-41页 |
| 4.3 多晶AlN薄膜的表征分析 | 第41-43页 |
| 4.4 多晶AlN薄膜FTIR振动特性与晶体特性的关系 | 第43-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
