| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第12-15页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 本文的组织安排 | 第15-17页 |
| 第二章 基本理论 | 第17-29页 |
| 2.1 FET的工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 史密斯圆图和散射参数 | 第18-22页 |
| 2.2.1 史密斯圆图 | 第18-19页 |
| 2.2.2 散射参数 | 第19-22页 |
| 2.3 功率放大器的主要技术指标 | 第22-27页 |
| 2.3.1 输出功率 | 第22-23页 |
| 2.3.2 增益 | 第23页 |
| 2.3.3 增益平坦度 | 第23-24页 |
| 2.3.4 输入输出VSWR | 第24-25页 |
| 2.3.5 工作频率和带宽 | 第25页 |
| 2.3.6 效率 | 第25-26页 |
| 2.3.7 稳定性 | 第26-27页 |
| 2.4 放大器的分类 | 第27-28页 |
| 2.5 功率放大器的主要设计技术 | 第28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 X波段功率放大器的总体设计 | 第29-37页 |
| 3.1 方案总体设计 | 第29-34页 |
| 3.1.1 系统总体方案 | 第29-31页 |
| 3.1.2 主要研究目标 | 第31页 |
| 3.1.3 主要设计指标 | 第31-32页 |
| 3.1.4 本文的主要研究内容 | 第32-33页 |
| 3.1.5 课题实施安排 | 第33-34页 |
| 3.2 器件和板材选择 | 第34-35页 |
| 3.2.1 器件的选择 | 第34页 |
| 3.2.2 板材的选择 | 第34-35页 |
| 3.3 软件平台简介 | 第35-36页 |
| 3.3.1 Advanced Design System | 第36页 |
| 3.3.2 High Frequency Structure Simulator | 第36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 GaAs FET功率放大器设计 | 第37-55页 |
| 4.1 芯片简介 | 第37-38页 |
| 4.2 基本结构 | 第38-39页 |
| 4.3 电路的设计 | 第39-45页 |
| 4.3.1 共轭匹配技术 | 第39-40页 |
| 4.3.2 匹配电路设计 | 第40-42页 |
| 4.3.3 偏置电路设计 | 第42-45页 |
| 4.4 版图的设计 | 第45页 |
| 4.5 腔体的设计 | 第45-46页 |
| 4.6 仿真 | 第46-50页 |
| 4.6.1 原理图仿真 | 第46-47页 |
| 4.6.2 版图仿真 | 第47-49页 |
| 4.6.3 腔体仿真 | 第49-50页 |
| 4.7 调试和测试 | 第50-53页 |
| 4.7.1 调试 | 第50-51页 |
| 4.7.2 测试与分析 | 第51-53页 |
| 4.8 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 GaAs pHEMT功率放大器设计 | 第55-65页 |
| 5.1 芯片简介 | 第55-56页 |
| 5.2 基本结构 | 第56-57页 |
| 5.3 电路的设计 | 第57-58页 |
| 5.4 版图的设计与仿真 | 第58-60页 |
| 5.5 腔体的设计和仿真 | 第60-61页 |
| 5.6 测试与分析 | 第61-63页 |
| 5.7 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 相控阵天线16路功率放大器设计 | 第65-77页 |
| 6.1 两种功率放大器的比较 | 第65-66页 |
| 6.2 基本结构 | 第66页 |
| 6.3 版图和腔体的设计 | 第66-67页 |
| 6.4 测试与分析 | 第67-75页 |
| 6.4.1 初步测试 | 第67-71页 |
| 6.4.2 改进测试 | 第71-75页 |
| 6.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 第七章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 7.1 总结 | 第77-78页 |
| 7.2 展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 附录 | 第83-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 攻读学位期间的科研成果 | 第95页 |