| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第8-11页 |
| 1.2 一维光子晶体的应用及发展现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 一维光子晶体光纤 | 第11-13页 |
| 1.2.2 一维光子晶体全反射镜 | 第13页 |
| 1.2.3 一维光子晶体激光器 | 第13页 |
| 1.2.4 一维光子晶体滤波器 | 第13-16页 |
| 1.3 光子晶体DOS研究现状及意义 | 第16-17页 |
| 1.4 研究的主要内容以及章节安排 | 第17-20页 |
| 第二章 一维光子晶体DOS的数学描述 | 第20-29页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 一维光子晶体的单个周期单元的DOS的数学描述 | 第20-22页 |
| 2.3 单个周期单元的传递矩阵 | 第22-23页 |
| 2.4 N周期单元的传递矩阵 | 第23-24页 |
| 2.5 N周期一维光子晶体的DOS的数学描述 | 第24-25页 |
| 2.6 λ_0/4膜厚结构的DOS表达式简化 | 第25-29页 |
| 第三章 基于控制变量法的一维光子晶体DOS特性的研究 | 第29-42页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 一维光子晶体的DOS特性 | 第29-31页 |
| 3.3 基于控制变量法的DOS特性研究 | 第31-35页 |
| 3.3.1 不同折射率比下的DOS | 第31-32页 |
| 3.3.2 不同周期数下的DOS | 第32-33页 |
| 3.3.3 不同薄膜厚度下的DOS | 第33-35页 |
| 3.4 基于DOS的带隙特性解释 | 第35-37页 |
| 3.5 禁带边缘处DOS突然增强的研究 | 第37-40页 |
| 3.6 结论 | 第40-42页 |
| 第四章 正负折射率的一维光子晶体带隙特性的研究 | 第42-52页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 正负折射率一维光子晶体的带隙特性 | 第42-43页 |
| 4.3 正负折射率一维光子晶体的带隙特性解释 | 第43-44页 |
| 4.4 正负折射率一维光子晶体的DOS特性 | 第44-47页 |
| 4.5 基于控制变量法的带隙特性 | 第47-51页 |
| 4.5.1 不同相对折射率差下的带隙特性 | 第47-48页 |
| 4.5.2 不同周期数下的带隙特性 | 第48-49页 |
| 4.5.3 不同薄膜厚度下的带隙特性 | 第49-51页 |
| 4.6 结论 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 硕士期间的科研成果 | 第60页 |