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Si和SiO2/Si衬底上石墨烯的生长和结构表征

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-25页
   ·前言第9页
   ·石墨烯的结构与性质第9-13页
     ·石墨烯的结构第9-10页
     ·石墨烯的性质第10-13页
   ·石墨烯的制备第13-17页
     ·微机械剥离法第13-14页
     ·化学剥离方法第14-15页
     ·化学气相沉积法(CVD)第15-16页
     ·SiC 高温退火法第16-17页
   ·石墨烯的应用第17-19页
     ·电子器件第17页
     ·太阳能电池第17-18页
     ·复合材料第18页
     ·储能材料第18页
     ·光电材料第18-19页
   ·本课题的选题第19-21页
 参考文献第21-25页
第二章 分子束外延生长技术第25-37页
   ·分子束外延的物理过程第25-27页
   ·分子束外延技术的优点第27-28页
   ·分子束外延技术的应用第28页
   ·固源分子束外延(SSMBE)设备第28-34页
     ·电子束蒸发器第30-31页
     ·高温样品架第31-34页
   ·本章小结第34-35页
 参考文献第35-37页
第三章 Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长第37-49页
   ·引言第37页
   ·样品制备和测试第37-38页
   ·实验结果与讨论第38-45页
     ·RHEED 结果第38-40页
     ·FTIR 结果第40-41页
     ·Raman 结果第41-42页
     ·NEXAFS 结果第42-44页
     ·结论第44-45页
   ·本章小结第45-46页
 参考文献第46-49页
第四章 Si0_2/Si 衬底上石墨烯的制备与结构表征第49-61页
   ·引言第49-50页
   ·样品制备第50页
   ·结果与讨论第50-57页
     ·Raman 结果第50-54页
     ·NEXAFS 结果第54-56页
     ·XPS 结果第56-57页
     ·结论第57页
   ·本章小结第57-58页
 参考文献第58-61页
硕士期间所发表的论文第61-63页
致谢第63页

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