摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
符号对照表 | 第12-13页 |
缩略语对照表 | 第13-16页 |
第一章 绪论 | 第16-22页 |
1.1 激光的产生及应用 | 第16-17页 |
1.2 超快激光的发展历程 | 第17-18页 |
1.3 可饱和吸收器件的发展历程 | 第18-19页 |
1.4 光纤激光器的发展历程 | 第19页 |
1.5 本论文的主要研究内容及创新点 | 第19-22页 |
第二章 脉冲光纤激光器理论分析 | 第22-32页 |
2.1 调Q和锁模的基本原理 | 第22-28页 |
2.1.1 调Q原理 | 第22-25页 |
2.1.2 锁模原理 | 第25-28页 |
2.2 可饱和吸收体的光学非线性特性 | 第28-29页 |
2.3 二维材料常用制备方法 | 第29-32页 |
第三章 空间NPE被动锁模掺镱光纤激光器实验研究 | 第32-38页 |
3.1 NPE锁模原理 | 第32-33页 |
3.2 基于空间NPE的全正色散光纤激光器实验研究 | 第33-37页 |
3.2.1 实验装置 | 第33-34页 |
3.2.2 实验结果与分析 | 第34-37页 |
3.3 本章小结 | 第37-38页 |
第四章 基于硫化钨及碲化铋的高能量调Q掺镱光纤激光器 | 第38-50页 |
4.1 基于WS2薄膜可饱和吸收体的高能量调Q掺镱光纤激光器 | 第38-43页 |
4.1.1 过渡金属硫化物简介 | 第38-39页 |
4.1.2 基于TMDs的光纤激光器研究进展 | 第39页 |
4.1.3 WS2/PVA SA的制备过程及特性 | 第39-41页 |
4.1.4 基于WS2的高能量调Q掺镱光纤激光器实验装置 | 第41-42页 |
4.1.5 实验结果与分析 | 第42-43页 |
4.1.6 实验小结 | 第43页 |
4.2 基于Bi2Te3薄膜可饱和吸收体的高能量调Q掺镱光纤激光器 | 第43-47页 |
4.2.1 拓扑绝缘体简介 | 第43-44页 |
4.2.2 基于TIs的光纤激光器研究进展 | 第44-45页 |
4.2.3 基于Bi2Te3的高能量调Q掺镱光纤激光器实验装置 | 第45-46页 |
4.2.4 实验结果与分析 | 第46-47页 |
4.2.5 实验小结 | 第47页 |
4.3 本章小结 | 第47-50页 |
第五章 基于黑磷调Q掺镱光纤激光器的实验研究 | 第50-62页 |
5.1 黑磷介绍 | 第50-51页 |
5.2 基于黑磷可饱和吸收体的光纤激光器研究进展 | 第51-52页 |
5.3 黑磷可饱和吸收体的制备方法 | 第52-54页 |
5.4 基于机械剥离BP的被动调Q掺镱光纤激光器实验研究 | 第54-57页 |
5.4.1 实验装置 | 第54页 |
5.4.2 实验结果与分析 | 第54-57页 |
5.4.3 实验总结 | 第57页 |
5.5 基于液相剥离BP的被动调Q掺镱光纤激光器实验研究 | 第57-61页 |
5.5.1 实验装置 | 第57-59页 |
5.5.2 实验结果与分析 | 第59-61页 |
5.5.3 实验总结 | 第61页 |
5.6 本章小结 | 第61-62页 |
第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-70页 |
致谢 | 第70-72页 |
作者简介 | 第72-73页 |