| 摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11页 |
| 第1章 绪论 | 第14-28页 |
| 1．1 引言 | 第14页 |
| 1．2 电弧离子镀技术综述 | 第14-20页 |
| 1．2．1 电弧离子镀的基本原理和特点 | 第14-17页 |
| 1．2．2 电弧离子镀技术的发展和现状 | 第17-20页 |
| 1．3 脉冲偏压电弧离子镀技术的发展现状 | 第20-25页 |
| 1．3．1 脉冲偏压电弧离子镀的技术优势及应用情况 | 第20-22页 |
| 1．3．2 脉冲偏压电弧离子镀涉及的主要问题和关键技术 | 第22-23页 |
| 1．3．3 电弧离子镀等离子体负载特性和脉冲偏压电源的研究现状 | 第23-24页 |
| 1．3．4 电弧离子镀脉冲偏压电源的发展趋势 | 第24-25页 |
| 1．4 本论文的选题和主要研究内容 | 第25-28页 |
| 1．4．1 论文的选题及其意义 | 第25-26页 |
| 1．4．2 论文的主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 电弧离子镀等离子体负载特性的研究 | 第28-48页 |
| 2．1 引言 | 第28页 |
| 2．2 等离子体的基本特性 | 第28-32页 |
| 2．3 电弧离子镀中的等离子体 | 第32-33页 |
| 2．4 电弧离子镀等离子体负载特性及其宏观电路模型 | 第33-37页 |
| 2．4．1 实验装置及电气测试系统 | 第33页 |
| 2．4．2 直流偏压下的电弧离子镀等离子体负载特性及其宏观电路模型 | 第33-34页 |
| 2．4．3 脉冲偏压下的电弧离子镀等离子体负载特性及其宏观电路模型 | 第34-37页 |
| 2．5 电弧离子镀等离子体负载的宏观电路模型与微观参数间的关系 | 第37-46页 |
| 2．5．1 脉冲偏压下电弧离子镀等离子体鞘层随时间的演化 | 第37-41页 |
| 2．5．2 电弧离子镀等离子体鞘层的等效电路及其定量描述 | 第41-43页 |
| 2．5．3 电弧离子镀等离子体负载宏观电路模型的定量描述 | 第43-44页 |
| 2．5．4 电弧离子镀的等离子体参数 | 第44-45页 |
| 2．5．5 脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电容 | 第45-46页 |
| 2．6 本章小节 | 第46-48页 |
| 第3章 电弧离子镀脉冲偏压电源的研制 | 第48-74页 |
| 3．1 引言 | 第48页 |
| 3．2 电弧离子镀脉冲偏压电源的总体技术方案 | 第48-51页 |
| 3．2．1 脉冲电源的主要类型及其特点 | 第48-50页 |
| 3．2．2 电弧离子镀脉冲偏压电源的设计原则 | 第50页 |
| 3．2．3 电弧离子镀脉冲偏压电源的设计指标、总体结构及基本要素 | 第50-51页 |
| 3．3 电弧离子镀脉冲偏压电源主电路的设计与分析 | 第51-63页 |
| 3．3．1 主电路与脉冲偏压电源的负载适应性 | 第51-55页 |
| 3．3．2 主电路开关器件的选择 | 第55页 |
| 3．3．3 逆变升压单元的设计 | 第55-60页 |
| 3．3．4 高压脉冲形成单元的设计 | 第60-62页 |
| 3．3．5 整流滤波单元和斩波调压单元的设计 | 第62-63页 |
| 3．4 电弧离子镀脉冲偏压电源控制电路的设计与分析 | 第63-69页 |
| 3．4．1 PWM脉宽调制电路和IGBT的同步驱动技术 | 第63页 |
| 3．4．2 IGBT驱动电路的设计及优化 | 第63-66页 |
| 3．4．3 综合控制与保护电路的设计 | 第66-67页 |
| 3．4．4 用于接地保护的电力电子集成模块的研制 | 第67-69页 |
| 3．5 电弧离子镀脉冲偏压电源测量电路的设计与分析 | 第69-71页 |
| 3．5．1 主要测量参数及测量要求 | 第69页 |
| 3．5．2 基于差动电压放大器的占空比测量电路设计 | 第69-71页 |
| 3．6 电弧离子镀脉冲偏压电源的实验及运行结果 | 第71-73页 |
| 3．6．1 电弧离子镀脉冲偏压电源的主要电气性能指标 | 第71页 |
| 3．6．2 电弧离子镀脉冲偏压电源的温升实验 | 第71-72页 |
| 3．6．3 电弧离子镀脉冲偏压电源输出的电压和电流波形 | 第72-73页 |
| 3．7 本章小节 | 第73-74页 |
| 第4章 脉冲偏压电源与电弧离子镀负载间的匹配技术研究 | 第74-89页 |
| 4．1 引言 | 第74页 |
| 4．2 电弧离子镀负载回路对脉冲信号的响应特性及分析 | 第74-82页 |
| 4．2．1 关于传播PWM脉冲波电缆的分析及处理 | 第74-75页 |
| 4．2．2 电弧离子镀负载回路对阶跃上升信号的响应特性及分析 | 第75-80页 |
| 4．2．3 电弧离子镀负载回路对阶跃下降信号的响应特性及分析 | 第80-82页 |
| 4．3 脉冲偏压电源与电弧离子镀负载间匹配电路的设计及应用 | 第82-88页 |
| 4．3．1 改善容性负载上脉冲电压波形的一般方法 | 第82-83页 |
| 4．3．2 脉冲偏压电源与电弧离子镀负载间匹配电路的设计及应用 | 第83-88页 |
| 4．4 本章小节 | 第88-89页 |
| 第5章 电弧离子镀脉冲偏压电源的绿色化设计 | 第89-110页 |
| 5．1 引言 | 第89页 |
| 5．2 电弧离子镀脉冲偏压电源的电磁兼容性设计 | 第89-101页 |
| 5．2．1 电磁兼容的基本问题 | 第89-90页 |
| 5．2．2 电弧离子镀脉冲偏压电源的EMI产生机理、传播通道及其模型的建立 | 第90-98页 |
| 5．2．3 电弧离子镀脉冲偏压电源的EMI抑制及抗干扰措施 | 第98-101页 |
| 5．3 电弧离子镀脉冲偏压电源的功率因数提高与谐波抑制技术 | 第101-109页 |
| 5．3．1 电弧离子镀脉冲偏压电源谐波的产生及其危害 | 第101-103页 |
| 5．3．2 电弧离子镀脉冲偏压电源输入整流滤波电路的优化设计 | 第103-107页 |
| 5．3．3 电弧离子镀脉冲偏压电源输入整流滤波电路的优化效果 | 第107-109页 |
| 5．4 本章小节 | 第109-110页 |
| 第6章 脉冲偏压电源在电弧离子镀工艺中的应用效果 | 第110-117页 |
| 6．1 引言 | 第110页 |
| 6．2 实验设备与实验方法 | 第110-111页 |
| 6．2．1 实验设备及镀层样品的制备 | 第110-111页 |
| 6．2．2 测试方法 | 第111页 |
| 6．3 实验结果 | 第111-115页 |
| 6．3．1 脉冲偏压对基体沉积温度的影响 | 第111-113页 |
| 6．3．2 脉冲偏压对Ti薄膜表面形貌的影响 | 第113-114页 |
| 6．3．3 脉冲偏压对Ti薄膜膜/基结合力的影响 | 第114-115页 |
| 6．4 本章小节 | 第115-117页 |
| 第7章 总结与展望 | 第117-120页 |
| 7．1 主要研究成果及结论 | 第117-119页 |
| 7．2 展望 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-128页 |
| 创新点摘要 | 第128-129页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和获得的专利 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第132页 |
