中文摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-24页 |
1.1 碳纳米材料概述 | 第9页 |
1.2 碳纳米材料的研究进展 | 第9-15页 |
1.2.1 纳米材料的合成方法 | 第10-11页 |
1.2.2 碳纳米材料的组成和结构 | 第11-13页 |
1.2.3 碳纳米材料的应用 | 第13-15页 |
1.3 扫描电化学显微镜的原理和应用 | 第15-18页 |
1.3.1 SECM的装置和工作原理 | 第15-17页 |
1.3.2 SECM在生物体系的应用 | 第17-18页 |
1.4 本课题的立题依据、意义及研究内容 | 第18-19页 |
1.4.1 立题依据及意义 | 第18-19页 |
1.4.2 研究内容 | 第19页 |
参考文献 | 第19-24页 |
第二章N掺杂碳点对温度的高灵敏度检测 | 第24-36页 |
2.1 前言 | 第24-25页 |
2.2 仪器和试剂 | 第25页 |
2.3 实验和表征 | 第25-26页 |
2.3.1 样品的制备 | 第25-26页 |
2.3.2 量子产率的计算 | 第26页 |
2.3.3 细胞培养 | 第26页 |
2.3.4 细胞成像 | 第26页 |
2.4 结果与讨论 | 第26-32页 |
2.4.1 NCDs的结构与性质 | 第26-29页 |
2.4.2 NCDs荧光强度与温度的关系 | 第29-32页 |
2.4.3 NCDs温度探针在生物体的应用 | 第32页 |
2.5 结论 | 第32-33页 |
参考文献 | 第33-36页 |
第三章 高亮的荧光碳点(FCDS)选择性染细胞核 | 第36-49页 |
3.1 前言 | 第36-37页 |
3.2 仪器与试剂 | 第37页 |
3.3 实验与表征 | 第37-38页 |
3.3.1 FCDs样品的制备 | 第37-38页 |
3.3.2 FCDs毒性的测试 | 第38页 |
3.3.3 FCDs荧光标记He La细胞 | 第38页 |
3.4 结果与讨论 | 第38-46页 |
3.4.1 FCDs的结构与性质 | 第38-41页 |
3.4.2 FCDs毒性的研究 | 第41-43页 |
3.4.3 FCDs选择性染细胞核 | 第43-46页 |
3.5 结论 | 第46页 |
参考文献 | 第46-49页 |
第四章 用SECM实时、定量地研究碳量子点对HELA细胞膜通透性的影响 | 第49-67页 |
4.1 前言 | 第49-50页 |
4.2 分仪器与试剂 | 第50页 |
4.3 实验及表征 | 第50-54页 |
4.3.1 样品的制备 | 第50-51页 |
4.3.2 HeLa细胞的培养 | 第51页 |
4.3.3 荧光法测试细胞的活性 | 第51-52页 |
4.3.4 电化学方法 | 第52页 |
4.3.5 逼近曲线的测试 | 第52页 |
4.3.6 HeLa细胞上方X-scan | 第52-53页 |
4.3.7 HeLa细胞上方i–t曲线 | 第53页 |
4.3.8 探针的动力学研究 | 第53-54页 |
4.4 结果与讨论 | 第54-64页 |
4.4.1 样品的表征 | 第54-58页 |
4.4.2 用SECM研究不同种类CQDs对细胞膜通透性的影响 | 第58-60页 |
4.4.3 不同浓度CQDs对细胞膜通透性的影响 | 第60-62页 |
4.4.4 表面官能团对细胞膜通透性的影响 | 第62-63页 |
4.4.5 CQDs对细胞膜通透性的可逆性研究 | 第63-64页 |
4.4.6 CQDs影响细胞膜通透性的机理研究 | 第64页 |
4.5 结论 | 第64页 |
参考文献 | 第64-67页 |
第五章 用SECM研究不同尺寸SiO_2纳米颗粒对细胞膜通透性的影响 | 第67-80页 |
5.1 前言 | 第67页 |
5.2 仪器和试剂 | 第67-68页 |
5.3 实验和表征 | 第68-69页 |
5.3.1 样品的制备 | 第68-69页 |
5.3.2 SECM电化学方法 | 第69页 |
5.4 结果与讨论 | 第69-76页 |
5.4.1 SiO_2 NPs的表征 | 第69-71页 |
5.4.2 不同尺寸SiO_2 NPs对细胞膜通透性的研究 | 第71-74页 |
5.4.3 不同浓度SiO_2 NPs对细胞膜通透性的影响和可逆性研究 | 第74-75页 |
5.4.4 在SiO_2 NPs溶液中细胞的内吞作用 | 第75-76页 |
5.4.5 SiO_2 NPs影响细胞膜通透性的机理 | 第76页 |
5.5 小结 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-80页 |
第六章 总结 | 第80-81页 |
硕士期间所发论文 | 第81-83页 |
致谢 | 第83-84页 |