| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第7-28页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 信息功能薄膜材料的应用与研究 | 第8-12页 |
| 1.2.1 信息功能薄膜材料的应用 | 第8-10页 |
| 1.2.2 信息功能薄膜材料的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 椭圆偏振测量方法介绍 | 第12-20页 |
| 1.3.1 椭偏测量原理与特点 | 第12-15页 |
| 1.3.2 椭偏测量方法在对信息功能薄膜材料性质表征中的应用 | 第15-20页 |
| 1.4 本论文工作概述 | 第20-21页 |
| 1.4.1 研究目的和意义 | 第20页 |
| 1.4.2 论文工作介绍 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-28页 |
| 第2章 样品的制备和表征 | 第28-48页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 电子束蒸发系统 | 第28-38页 |
| 2.2.1 AFDS-1100高性能薄膜生长系统 | 第28-33页 |
| 2.2.2 宽光谱监控系统 | 第33-38页 |
| 2.3 椭圆偏振光谱测量系统 | 第38-44页 |
| 2.3.1 RPAE型椭圆偏振光谱仪 | 第38-40页 |
| 2.3.2 温控样品台的设计 | 第40-42页 |
| 2.3.3 色散模型的介绍 | 第42-44页 |
| 2.4 薄膜样品结构表征方法介绍 | 第44-46页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪(XRD) | 第44-45页 |
| 2.4.2 原子力显微镜(AFM) | 第45页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜(SEM)和能量分布X射线谱(EDX) | 第45-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第3章 锡薄膜的光学性质从固相到液相转变的研究 | 第48-71页 |
| 3.1 引言 | 第48-50页 |
| 3.2 Sn薄膜样品的制备 | 第50页 |
| 3.3 Sn薄膜的XRD测量 | 第50-51页 |
| 3.4 Sn薄膜椭圆偏振光谱的测量 | 第51-57页 |
| 3.4.1 Sn薄膜室温椭圆偏振光谱 | 第51-52页 |
| 3.4.2 覆盖SiO_2薄膜的Sn薄膜变温椭圆偏振光谱 | 第52-57页 |
| 3.5 实验结果与讨论 | 第57-58页 |
| 3.6 利用椭圆偏振光谱测量纳米薄膜熔点的方法 | 第58-60页 |
| 3.7 第一性原理计算结果分析 | 第60-67页 |
| 3.7.1 对关联函数 | 第60-61页 |
| 3.7.2 键角分布函数 | 第61-62页 |
| 3.7.3 Honeycutt-Andersen指数 | 第62-63页 |
| 3.7.4 原子团簇校正法 | 第63-66页 |
| 3.7.5 论计算的光学常数与测量结果的对比 | 第66-67页 |
| 3.8 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 第4章 五氧化二钽薄膜的光学性质随厚度变化的椭圆偏振光谱研究 | 第71-87页 |
| 4.1 引言 | 第71-74页 |
| 4.2 Ta_2O_5纳米薄膜的制备 | 第74-76页 |
| 4.2.1 薄膜生长控制系统的改进 | 第74-76页 |
| 4.2.2 薄膜生长的工艺参数 | 第76页 |
| 4.3 Ta_2O_5薄膜的椭圆偏振光谱测量 | 第76-79页 |
| 4.4 实验结果与讨论 | 第79-83页 |
| 4.5 误差分析 | 第83-84页 |
| 4.6 本章小结 | 第84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第5章 硒化铋薄膜的椭圆偏振光谱研究 | 第87-103页 |
| 5.1 引言 | 第87-88页 |
| 5.2 Bi_(1-)xSe_x薄膜的制备 | 第88-89页 |
| 5.3 Bi_(1-x)Se_x薄膜的表征 | 第89-92页 |
| 5.3.1 EDX测量结果 | 第89-90页 |
| 5.3.2 AFM测量结果 | 第90-92页 |
| 5.4 Bi_(1-x)Se_x薄膜的椭圆偏振光谱测量 | 第92-95页 |
| 5.5 实验结果与讨论 | 第95-100页 |
| 5.6 本章小结 | 第100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第6章 论文工作总结与展望 | 第103-107页 |
| 附：攻读博士学位期间学术成果 | 第107-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
