| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 甲醛气体检测的研究意义 | 第8页 |
| 1.1.1 甲醛的基本性质 | 第8页 |
| 1.1.2 甲醛的危害 | 第8页 |
| 1.2 甲醛检测的研究现状 | 第8-10页 |
| 1.2.1 电化学甲醛传感器 | 第8-9页 |
| 1.2.2 电流型甲醛传感器 | 第9页 |
| 1.2.3 半导体式甲醛传感器 | 第9-10页 |
| 1.3 气敏材料的研究现状和发展趋势 | 第10-11页 |
| 1.3.1 气敏材料的分类 | 第10页 |
| 1.3.2 气敏材料的应用 | 第10-11页 |
| 1.4 ZnO薄膜型气敏材料的研究现状和发展趋势 | 第11-13页 |
| 1.4.1 ZnO的基本性质 | 第12页 |
| 1.4.2 ZnO的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第13页 |
| 1.6 本章小结 | 第13-14页 |
| 第2章 ZnO薄膜的制备与表征 | 第14-26页 |
| 2.1 薄膜技术分类 | 第14-16页 |
| 2.1.1 溶胶凝胶法 | 第14-15页 |
| 2.1.2 磁控溅射法 | 第15页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 | 第15页 |
| 2.1.4 化学还原法 | 第15-16页 |
| 2.2 纳米ZnO薄膜的制备 | 第16-20页 |
| 2.2.1 试剂与仪器 | 第16-17页 |
| 2.2.2 衬底预处理 | 第17页 |
| 2.2.3 ZnO溶胶的形成 | 第17-18页 |
| 2.2.4 ZnO薄膜制备 | 第18-20页 |
| 2.2.5 薄膜制备的工艺流程 | 第20页 |
| 2.3 纳米ZnO薄膜的表征 | 第20-23页 |
| 2.3.1 X射线衍射测试（XRD） | 第20-22页 |
| 2.3.2 原子力显微镜（AFM） | 第22-23页 |
| 2.4 掺杂Cd的ZnO薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 2.5 掺杂Cd的ZnO薄膜的表征 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 气敏材料的设计与结构 | 第26-34页 |
| 3.1 ZnO敏感材料的工作原理 | 第26-29页 |
| 3.1.1 ZnO敏感材料的光催化原理 | 第26-28页 |
| 3.1.2 ZnO敏感材料的吸附原理 | 第28-29页 |
| 3.2 紫外光激励 | 第29-31页 |
| 3.3 对ZnO气敏材料进行掺杂 | 第31页 |
| 3.4 叉指电极的设计 | 第31-32页 |
| 3.4.1 电极的选择 | 第31-32页 |
| 3.4.2 叉指电极的制备 | 第32页 |
| 3.5 敏感器件的制备 | 第32页 |
| 3.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 第4章 薄膜的性能检测与分析 | 第34-44页 |
| 4.1 敏感材料对甲醛的测试系统 | 第34-36页 |
| 4.1.1 HCHO通入 | 第34-35页 |
| 4.1.2 敏感器件 | 第35页 |
| 4.1.3 信号测试 | 第35-36页 |
| 4.2 敏感器件的甲醛气敏特性 | 第36-37页 |
| 4.2.1 ZnO薄膜的甲醛气敏特性 | 第36页 |
| 4.2.2 掺杂Cd的ZnO薄膜的甲醛气敏特性 | 第36-37页 |
| 4.3 掺杂Cd的ZnO气敏材料性能分析 | 第37-43页 |
| 4.3.1 退火温度对掺杂Cd的ZnO气敏材料的影响 | 第38页 |
| 4.3.2 气敏材料的选择性 | 第38-39页 |
| 4.3.3 气敏材料的灵敏度 | 第39-41页 |
| 4.3.4 气敏材料的重复性 | 第41-42页 |
| 4.3.5 气敏材料的响应时间与恢复时间 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 致谢 | 第51页 |