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基于大气等离子体沉积氧化硅—硅橡胶母排双重防护技术研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第9-25页
    1.1 母排防护技术发展现状第9-12页
        1.1.1 电力设备中母排作用和存在的问题第9-10页
        1.1.2 母排的防护方法和研究进展第10-12页
    1.2 导热硅橡胶材料的应用第12-14页
        1.2.1 高导热硅橡胶结构和性能第12-13页
        1.2.2 导热硅橡胶在母排防护中的应用及存在问题第13-14页
    1.3 氧化硅薄膜的制备及应用现状第14-19页
        1.3.1 氧化硅薄膜的结构与特点第14-15页
        1.3.2 氧化硅薄膜的制备方法第15-17页
        1.3.3 氧化硅薄膜的应用范围第17-19页
        1.3.4 氧化硅薄膜防腐性研究现状第19页
    1.4 等离子体辅助化学气相沉积制备氧化硅薄膜第19-23页
        1.4.1 薄膜生长机理研究进展第19-21页
        1.4.2 大气压和低气压PECVD技术简介第21-23页
    1.5 论文研究目的、意义及主要内容第23-25页
        1.5.1 论文研究目的及意义第23页
        1.5.2 论文研究主要内容第23-25页
第二章 实验设备及测试技术第25-35页
    2.1 实验设备及工艺第25-29页
        2.1.1 APPJ沉积氧化硅薄膜第25-28页
        2.1.2 CCP沉积氧化硅薄膜第28-29页
        2.1.3 导热硅橡胶第29页
    2.2 测试技术第29-35页
        2.2.1 薄膜成分结构分析——FTIR、EDS、XPS第29-30页
        2.2.2 薄膜的表面形貌分析——SEM、AFM、WLI第30-32页
        2.2.3 薄膜厚度分析——探针轮廓仪第32页
        2.2.4 薄膜附着力测试——百格法第32-33页
        2.2.5 薄膜硬度的测试——铅笔硬度计第33页
        2.2.6 防腐蚀性分析——盐雾腐蚀、电化学腐蚀第33-34页
        2.2.7 绝缘性能测试——体积电阻率第34-35页
第三章 氧化硅薄膜的制备及结构研究第35-59页
    3.1 铜基底的处理方法第35-39页
    3.2 工艺参数对大气压等离子体沉积氧化硅薄膜的影响第39-49页
        3.2.1 单体通量第39-43页
        3.2.2 沉积时间第43-45页
        3.2.3 基底温度第45-49页
    3.3 大气压和低气压等离子体辅助化学气相沉积制备氧化硅薄膜的性能比较 ..第49-58页
        3.3.1 氧化硅薄膜的生长过程第49-54页
        3.3.2 氧化硅薄膜的结构成分第54-57页
        3.3.3 氧化硅薄膜的表面形貌第57-58页
        3.3.4 氧化硅薄膜的硬度及附着力第58页
    3.4 小结第58-59页
第四章 氧化硅薄膜的防腐蚀性能第59-69页
    4.1 防腐蚀性测试方法第59-60页
    4.2 工艺参数对氧化硅薄膜防腐蚀性能的影响第60-68页
        4.2.1 沉积气压影响第60-64页
        4.2.2 氧化硅薄膜厚度影响第64-66页
        4.2.3 氧化硅薄膜沉积基底温度影响第66-68页
    4.3 氧化硅薄膜防腐蚀性能机制第68页
    4.4 小结第68-69页
第五章 氧化硅—硅橡胶母排双重防护结构第69-74页
    5.1 母排双重防护结构第69-70页
    5.2 母排双重防护的性能第70-72页
        5.2.1 绝缘性第70-71页
        5.2.2 防腐蚀性第71-72页
        5.2.3 双重防护结构的选择第72页
    5.3 母排双重防护结构的现场施工第72-74页
第六章 结论与展望第74-75页
参考文献第75-81页
致谢第81-82页
个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文第82页

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