| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 超导材料的发展简史 | 第7-8页 |
| 1.2 超导材料的基本特性 | 第8-12页 |
| 1.2.1 零电阻现象 | 第8-9页 |
| 1.2.2 迈斯纳效应 | 第9页 |
| 1.2.3 超导体的临界参数 | 第9-10页 |
| 1.2.4 超导体的分类及相变理论 | 第10-12页 |
| 1.3 MgB2超导材料的概况 | 第12-16页 |
| 1.3.1 MgB2超导体的发现及晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 MgB2的超导机制 | 第13页 |
| 1.3.3 MgB2的基本特性 | 第13-16页 |
| 1.3.4 MgB2超导体的应用前景 | 第16页 |
| 1.4 MgB2约瑟夫森结的研究现状 | 第16-21页 |
| 1.4.1 MgB2约瑟夫森结的发展 | 第16-17页 |
| 1.4.2 MgB2-B-MgB2约瑟夫森结的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.4.3 MgB2-MgO-MgB2约瑟夫森结的研究现状 | 第20-21页 |
| 第二章 MgB2约瑟夫森结的特性及应用 | 第21-43页 |
| 2.1 约瑟夫森结 | 第21-22页 |
| 2.2 约瑟夫森结的模型和等效电路 | 第22-25页 |
| 2.2.1 RSCJ模型 | 第22-24页 |
| 2.2.2 RSJ模型 | 第24页 |
| 2.2.3 约瑟夫森结的等效电路 | 第24-25页 |
| 2.3 MgB2约瑟夫森结的特性 | 第25-29页 |
| 2.3.1 MgB2约瑟夫森结的直流效应及直流特性仿真 | 第25-27页 |
| 2.3.2 MgB2约瑟夫森结的交流效应及交流特性仿真 | 第27-29页 |
| 2.4 MgB2约瑟夫森结在超导RSFQ数字电路的应用 | 第29-43页 |
| 2.4.1 超导RSFQ数字电路的理论基础 | 第29-35页 |
| 2.4.2 超导RSFQ数字电路分支器的仿真研究 | 第35-43页 |
| 第三章 MgB2超导薄膜的制备方法研究 | 第43-55页 |
| 3.1 MgB2超导薄膜的制备依据 | 第43-45页 |
| 3.2 化学气相沉积法（CVD）制备MgB2超导薄膜 | 第45-49页 |
| 3.2.1 化学气相沉积法 | 第45-46页 |
| 3.2.2 几种制备MgB2超导薄膜的方法 | 第46-49页 |
| 3.3 双温区混合物理气相沉积法（HPCVD）制备MgB2超导薄膜 | 第49-51页 |
| 3.4 MOCVD法制备MgB2超导薄膜 | 第51-52页 |
| 3.5 MgB2超导薄膜制备方法的比较 | 第52-55页 |
| 第四章 MgB2-B-MgB2约瑟夫森结的制备与研究 | 第55-63页 |
| 4.1 B膜在不同温度下的特性研究 | 第55-59页 |
| 4.1.1 B的结构 | 第55-56页 |
| 4.1.2 B膜的制备 | 第56页 |
| 4.1.3 结果分析 | 第56-59页 |
| 4.2 MgB2-B-MgB2约瑟夫森结的制备 | 第59-61页 |
| 4.3 MgB2-B-MgB2约瑟夫森结的特性研究 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-66页 |
| 5.1 总结 | 第63-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 在校期间的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
