| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| ·研究背景 | 第12-13页 |
| ·本文主要工作 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 氢化纳米硅薄膜材料及器件基础 | 第15-31页 |
| ·硅基材料分类 | 第15-18页 |
| ·单晶硅（c-Si） | 第15页 |
| ·非晶硅（a-Si） | 第15-16页 |
| ·氢化纳米硅（nc-Si:H） | 第16页 |
| ·其他单晶/非晶混相硅材料 | 第16-18页 |
| ·氢化纳米硅薄膜制备 | 第18-20页 |
| ·氢化纳米硅薄膜物性分析表征明 | 第20-25页 |
| ·透射电镜（TEM）及高分辨透射电镜（HRTEM） | 第20-21页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第21-23页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第23-24页 |
| ·红外光谱（FTIR） | 第24-25页 |
| ·氢化纳米硅器件应用 | 第25-28页 |
| ·单电子晶体管 | 第26-27页 |
| ·薄膜晶体管 | 第27-28页 |
| ·第三代太阳能电池 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 半导体器件噪声 | 第31-52页 |
| ·噪声基础概念 | 第31-36页 |
| ·噪声的定义 | 第31-32页 |
| ·随机噪声的统计表征 | 第32-35页 |
| ·噪声研究的意义 | 第35-36页 |
| ·噪声的分类 | 第36-46页 |
| ·热噪声 | 第37-38页 |
| ·散粒噪声 | 第38-39页 |
| ·产生-复合噪声 | 第39-42页 |
| ·1/f 噪声 | 第42-46页 |
| ·半导体器件噪声模型 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 噪声测量系统搭建 | 第52-71页 |
| ·测量仪器介绍 | 第52-57页 |
| ·SR570 | 第52-54页 |
| ·SR760 | 第54-57页 |
| ·测量系统搭建 | 第57-59页 |
| ·可靠性验证 | 第59-69页 |
| ·系统校准 | 第59-66页 |
| ·纳米硅二极管中噪声的测量 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 纳米硅二极管低频噪声特性 | 第71-80页 |
| ·器件结构及直流特性 | 第71-72页 |
| ·噪声测量频率区间的选择 | 第72-73页 |
| ·实验及讨论 | 第73-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-80页 |
| 第六章 总结 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第83页 |
| 攻读硕士学位期间获得的奖励 | 第83页 |