| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第11-12页 |
| 1.2 石墨烯材料的性质 | 第12-14页 |
| 1.2.1 二维平面结构 | 第12页 |
| 1.2.2 电学性质 | 第12-13页 |
| 1.2.3 光学性质 | 第13页 |
| 1.2.4 高比表面积 | 第13-14页 |
| 1.2.5 热学性质 | 第14页 |
| 1.2.6 力学性质 | 第14页 |
| 1.2.7 其他性质 | 第14页 |
| 1.3 石墨烯制备方法 | 第14-17页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第15页 |
| 1.3.2 化学气相沉积（CVD）法 | 第15-16页 |
| 1.3.3 外延生长法 | 第16页 |
| 1.3.4 氧化还原法 | 第16-17页 |
| 1.4 石墨烯材料表征 | 第17-23页 |
| 1.4.1 光学显微法 | 第17-18页 |
| 1.4.2 电子显微法 | 第18-20页 |
| 1.4.3 拉曼光谱 | 第20-22页 |
| 1.4.4 原子力显微镜 | 第22-23页 |
| 1.5 石墨烯复合材料 | 第23-25页 |
| 1.5.1 石墨烯/碳基复合材料 | 第23页 |
| 1.5.2 石墨烯/聚合物合材料 | 第23-24页 |
| 1.5.3 石墨烯/无机纳米复合材料 | 第24-25页 |
| 1.6 石墨烯/无机纳米材料制备技术 | 第25-33页 |
| 1.6.1 CVD法 | 第25-26页 |
| 1.6.2 热溶剂法 | 第26-28页 |
| 1.6.3 水热法 | 第28-29页 |
| 1.6.4 超声空化法 | 第29-30页 |
| 1.6.5 电化学沉积法 | 第30-31页 |
| 1.6.6 溶胶-凝胶法 | 第31-33页 |
| 1.7 本课题的研究意义及内容 | 第33-35页 |
| 1.7.1 课题意义 | 第33-34页 |
| 1.7.2 课题内容 | 第34-35页 |
| 2 石墨烯表征 | 第35-42页 |
| 2.1 引言 | 第35页 |
| 2.2 实验材料及仪器 | 第35-36页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第35页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第35-36页 |
| 2.3 实验结果 | 第36-41页 |
| 2.3.1 TEM | 第36-39页 |
| 2.3.2 SPM | 第39-40页 |
| 2.3.3 拉曼光谱 | 第40-41页 |
| 2.3.4 热重分析 | 第41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 3 Sol-gel法制备rGO-AZO透明导电薄膜及表征 | 第42-61页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 rGO-AZO复合薄膜的导电机理 | 第43-44页 |
| 3.3 实验材料及方法 | 第44-46页 |
| 3.3.1 实验材料 | 第44页 |
| 3.3.2 实验方法 | 第44-45页 |
| 3.3.3 表征手段及仪器 | 第45-46页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第46-59页 |
| 3.4.1 干凝胶TEM表征 | 第46-48页 |
| 3.4.2 rGO-AZO复合薄膜表征 | 第48-54页 |
| 3.4.3 不同Al掺杂浓度对rGO-AZO复合薄膜光电性能的影响 | 第54-56页 |
| 3.4.4 不同rGO掺杂量对rGO-AZO复合薄膜光电性能的影响 | 第56-58页 |
| 3.4.5 真空处理对rGO-AZO复合薄膜光电性能的影响 | 第58-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 4 Sol-gel法制备rGO-AuNPs-TiO_2复合薄膜及表征 | 第61-71页 |
| 4.1 引言 | 第61-62页 |
| 4.2 SERS机理 | 第62-63页 |
| 4.3 实验材料及方法 | 第63-65页 |
| 4.3.1 实验材料 | 第63页 |
| 4.3.2 实验方法 | 第63-64页 |
| 4.3.3 表征手段及仪器 | 第64-65页 |
| 4.4 结果和讨论 | 第65-70页 |
| 4.4.1 rGO-AuNPs-TiO_2干凝胶TEM测试 | 第65-67页 |
| 4.4.2 XRD | 第67-68页 |
| 4.4.3 XPS | 第68页 |
| 4.4.4 SEM | 第68-69页 |
| 4.4.5 SERS检测 | 第69-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 5 总结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 在学研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
