摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-7页 |
引言 | 第11-13页 |
1 绪论 | 第13-36页 |
1.1 碳化硅陶瓷 | 第13-19页 |
1.1.1 碳化硅陶瓷介绍 | 第13-16页 |
1.1.2 碳化硅陶瓷制备概述 | 第16-17页 |
1.1.2.1 热压烧结 | 第16页 |
1.1.2.2 化学气相沉积-CVD | 第16-17页 |
1.1.2.3 先驱体转化法 | 第17页 |
1.1.3 先驱体转化法制备SiC陶瓷 | 第17-19页 |
1.2 超支化聚碳硅烷先驱体 | 第19-30页 |
1.2.1 超支化聚合物优势与特点 | 第19-21页 |
1.2.2 LHBPCS制备方法 | 第21-27页 |
1.2.2.1 开环聚合反应 | 第21-23页 |
1.2.2.2 硅氢加成反应 | 第23-24页 |
1.2.2.3 Wurtz偶合法 | 第24-26页 |
1.2.2.4 Grignard偶合法 | 第26-27页 |
1.2.3 超支化聚碳硅烷先驱体发展现状 | 第27-30页 |
1.3 超支化聚碳硅烷交联固化方式 | 第30-34页 |
1.3.1 聚碳硅烷热/氧交联固化 | 第30-32页 |
1.3.2 聚碳硅烷催化交联固化 | 第32-33页 |
1.3.3 聚碳硅烷辐照交联固化 | 第33-34页 |
1.4 论文选题依据及研究内容 | 第34-36页 |
1.4.1 论文选题依据 | 第34页 |
1.4.2 论文研究内容 | 第34-36页 |
2 实验部分 | 第36-42页 |
2.1 实验原材料及试剂 | 第36页 |
2.2 实验设备 | 第36-37页 |
2.3 实验 | 第37-40页 |
2.3.1 LHBPCS先驱体的制备 | 第37-38页 |
2.3.2 LHBPCS先驱体的紫外交联固化 | 第38-39页 |
2.3.3 LHBPCS基SiC陶瓷的制备及耐温性研究 | 第39-40页 |
2.4 分析与表征 | 第40-42页 |
2.4.1 凝胶渗透色谱仪(GPC) | 第40页 |
2.4.2 傅里叶变换红外光谱分析仪(FT-IR) | 第40页 |
2.4.3 核磁共振谱仪(NMR) | 第40页 |
2.4.4 接触角测量 | 第40页 |
2.4.5 流变性能测试 | 第40页 |
2.4.6 热重-差示扫描量热(TG-DSC) | 第40-41页 |
2.4.7 元素分析 | 第41页 |
2.4.8 X射线衍射仪(XRD) | 第41页 |
2.4.9 扫描电子显微镜(SEM) | 第41页 |
2.4.10 透射电子显微镜(TEM) | 第41-42页 |
3 超支化聚碳硅烷先驱体的制备与研究 | 第42-57页 |
3.1 先驱体的制备与表征 | 第42-47页 |
3.2 LHBPCS先驱体合成工艺研究 | 第47-52页 |
3.2.1 反应温度对LHBPCS结构的影响 | 第47-50页 |
3.2.2 反应时间对LHBPCS结构的影响 | 第50-52页 |
3.3 先驱体的性能研究 | 第52-56页 |
3.3.1 LHBPCS先驱体润湿性研究 | 第52-54页 |
3.3.2 LHBPCS先驱体粘度研究 | 第54-55页 |
3.3.3 LHBPCS先驱体热性能表征 | 第55-56页 |
3.4 本章小结 | 第56-57页 |
4 LHBPCS先驱体的紫外交联固化 | 第57-70页 |
4.1 LHBPCS紫外辐照固化机理研究 | 第57-60页 |
4.2 LHBPCS紫外固化时间对陶瓷产率的影响 | 第60-62页 |
4.3 LHBPCS/二乙烯基硅烷紫外固化机理研究 | 第62-65页 |
4.4 LHBPCS/二乙烯基硅烷共混体系对陶瓷产率的影响 | 第65-69页 |
4.4.1 固化时间对陶瓷产率的影响 | 第65-66页 |
4.4.2 交联单体配比对陶瓷产率的影响 | 第66-69页 |
4.5 本章小结 | 第69-70页 |
5 LHBPCS基SiC陶瓷的制备研究 | 第70-78页 |
5.1 LHBPCS先驱体陶瓷化过程分析 | 第70-71页 |
5.2 LHBPCS基SiC陶瓷成分分析 | 第71-72页 |
5.3 LHBPCS基SiC陶瓷结晶行为研究 | 第72-73页 |
5.4 LHBPCS基SiC陶瓷耐温性及抗氧化性研究 | 第73-77页 |
5.4.1 LHBPCS基SiC陶瓷耐温性研究 | 第73-74页 |
5.4.2 LHBPCS基SiC陶瓷抗氧化研究 | 第74-77页 |
5.5 本章小结 | 第77-78页 |
6 结论与展望 | 第78-80页 |
参考文献 | 第80-87页 |
在学研究成果 | 第87-89页 |
致谢 | 第89页 |