| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第15-35页 |
| 1.1 拓扑绝缘体 | 第16-26页 |
| 1.1.1 量子霍尔效应 | 第16-19页 |
| 1.1.2 量子自旋霍尔效应 | 第19-24页 |
| 1.1.3 三维拓扑绝缘体 | 第24-26页 |
| 1.1.4 其他拓扑绝缘体分类 | 第26页 |
| 1.2 拓扑半金属 | 第26-34页 |
| 1.2.1 外尔半金属和狄拉克半金属 | 第27-30页 |
| 1.2.2 Nodal-line半金属 | 第30-32页 |
| 1.2.3 三重简并费米子 | 第32-34页 |
| 1.3 本文主要结构 | 第34-35页 |
| 第二章 第一性原理计算及相关理论介绍 | 第35-57页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第36-43页 |
| 2.1.1 绝热近似及价电子近似 | 第37-38页 |
| 2.1.2 单电子近似 | 第38-39页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn (HK)定理 | 第39-41页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham (KS)方程 | 第41-42页 |
| 2.1.5 交换关联势 | 第42-43页 |
| 2.2 赝势方法 | 第43-46页 |
| 2.2.1 赝势的导出及基本性质 | 第44-45页 |
| 2.2.2 模守恒赝势、超软赝势及投影缀加平面波方法 | 第45-46页 |
| 2.3 Wannier函数 | 第46-52页 |
| 2.3.1 最局域wannier函数 | 第47-50页 |
| 2.3.2 原子轨道wannier函数 | 第50-52页 |
| 2.4 k·p模型 | 第52-57页 |
| 2.4.1 微扰方法 | 第52-53页 |
| 2.4.2 不变量理论 | 第53-57页 |
| 第三章 二维拓扑绝缘体ZrSiO系列第一性原理计算 | 第57-73页 |
| 3.1 计算方法及晶体结构 | 第57-59页 |
| 3.2 能带结果及分析 | 第59-65页 |
| 3.3 "WHM"家族 | 第65-67页 |
| 3.4 ZrSnTe表面拓扑的观测 | 第67-73页 |
| 第四章 拓扑Nodal-line半金属CaP_3系列第一性原理计算 | 第73-87页 |
| 4.1 晶体结构及计算方法 | 第73-76页 |
| 4.2 计算结果 | 第76-80页 |
| 4.3 k·p模型哈密顿量分析 | 第80-87页 |
| 第五章 总结与展望 | 第87-89页 |
| 附录A "WHM"家族能带结构 | 第89-93页 |
| 参考文献 | 第93-107页 |
| 个人简历 | 第107-109页 |
| 发表文章目录 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-113页 |
