| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 非易失性存储器概述 | 第10-15页 |
| 1.1.1 非易失性存储器的基本概念及分类 | 第10-11页 |
| 1.1.2 闪存的工作原理和发展现状及瓶颈 | 第11-12页 |
| 1.1.3 新型非易失性存储器简介 | 第12-15页 |
| 1.2 阻变存储器 | 第15-27页 |
| 1.2.1 阻变存储器的分类及性能评价指标 | 第16-17页 |
| 1.2.2 氧化还原类阻变存储器的研究历程和现状 | 第17-21页 |
| 1.2.3 阻变存储器的电导量子化 | 第21-22页 |
| 1.2.4 阻变存储阵列的漏电流及其克服途径 | 第22-26页 |
| 1.2.5 基于阻变存储器的逻辑运算 | 第26-27页 |
| 1.3 本论文的研究思路及内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验方法 | 第29-39页 |
| 2.1 薄膜制备技术 | 第29-32页 |
| 2.1.1 旋转涂抹法 | 第29-30页 |
| 2.1.2 磁控溅射技术 | 第30-32页 |
| 2.2 阻变存储器的器件加工和测试 | 第32-34页 |
| 2.2.1 阻变存储器的器件加工工艺 | 第32-33页 |
| 2.2.2 阻变存储器的电学性能测试系统 | 第33-34页 |
| 2.3 薄膜样品的结构和成分表征技术 | 第34-36页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第34-35页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第35页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜 | 第35-36页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱 | 第36页 |
| 2.4 阻变存储阵列读出窗口的计算原理 | 第36-39页 |
| 第3章 金属导电细丝的生长动力学过程 | 第39-71页 |
| 3.1 Cu/P3HT:PCBM/ITO器件中Cu导电细丝的生长模式 | 第39-51页 |
| 3.1.1 P3HT:PCBM体异质结的基本性质 | 第40页 |
| 3.1.2 Cu/P3HT:PCBM/ITO器件的制备及结构表征 | 第40-41页 |
| 3.1.3 Cu/P3HT:PCBM/ITO器件的阻变性能 | 第41-44页 |
| 3.1.4 Cu/P3HT:PCBM/ITO器件的阻变机理 | 第44-47页 |
| 3.1.5 Cu/P3HT:PCBM/ITO器件的动态阻变过程 | 第47-51页 |
| 3.2 Ag/PEDOT:PSS/Pt器件中Ag导电细丝的生长模式 | 第51-61页 |
| 3.2.1 PEDOT:PSS的基本性质 | 第51-52页 |
| 3.2.2 Ag/PEDOT:PSS/Pt器件的制备和结构表征 | 第52-54页 |
| 3.2.3 Ag/PEDOT:PSS/Pt器件的阻变特性 | 第54-56页 |
| 3.2.4 Ag/PEDOT:PSS/Pt器件的阻变机理 | 第56-58页 |
| 3.2.5 Ag/PEDOT:PSS/Pt器件中Ag导电细丝的动态生长过程 | 第58-61页 |
| 3.3 金属导电细丝形核位置的动态蒙特卡洛模拟 | 第61-69页 |
| 3.3.1 动态蒙特卡洛模拟的器件结构和流程图 | 第62-65页 |
| 3.3.2 阳离子的迁移和还原过程对金属导电细形核位置的影响 | 第65-68页 |
| 3.3.3 金属导电细丝生长模式的统一模型 | 第68-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第4章 金属导电细丝的电导量子化 | 第71-89页 |
| 4.1 Ag/P3HT:PCBM/ITO器件中Ag导电细丝的电导量子化 | 第71-80页 |
| 4.1.1 Ag/P3HT:PCBM/ITO器件的制备及结构表征 | 第71-72页 |
| 4.1.2 Ag/P3HT:PCBM/ITO器件的阻变性能及机理 | 第72-75页 |
| 4.1.3 Ag/P3HT:PCBM/ITO器件在直流电压扫描下的电导量子化 | 第75-78页 |
| 4.1.4 Ag/P3HT:PCBM/ITO器件在脉冲电压激励下的电导量子化 | 第78-80页 |
| 4.1.5 Ag/P3HT:PCBM/ITO器件中量子化电导的统计分布 | 第80页 |
| 4.2 Ag/SiO_2/ITO器件中Ag导电细丝的电导量子化 | 第80-87页 |
| 4.2.1 Ag/SiO_2/ITO器件的制备及结构表征 | 第80-81页 |
| 4.2.2 Ag/SiO_2/ITO器件的阻变性能及机理 | 第81-84页 |
| 4.2.3 Ag/SiO_2/ITO器件在直流电压扫描下的电导量子化 | 第84-85页 |
| 4.2.4 Ag/SiO_2/ITO器件在脉冲电压激励下的电导量子化 | 第85-86页 |
| 4.2.5 Ag/SiO_2/ITO器件中量子化电导的统计分布 | 第86-87页 |
| 4.3 本章小结 | 第87-89页 |
| 第5章 Ta_2O_5基阻变存储器的性能调控 | 第89-113页 |
| 5.1 Pt/Ta_2O_5/n-Si器件的自整流阻变特性 | 第89-100页 |
| 5.1.1 Pt/Ta_2O_5/n-Si器件的制备和结构表征 | 第89-92页 |
| 5.1.2 Pt/Ta_2O_5/n-Si器件的自整流阻变性能 | 第92-95页 |
| 5.1.3 Pt/Ta_2O_5/n-Si阻变存储阵列的读出窗口 | 第95-97页 |
| 5.1.4 Pt/Ta_2O_5/n-Si器件的自整流阻变机理 | 第97-100页 |
| 5.2 Pt/Ta_2O_5/Ta/Ta_2O_5/Pt器件的自限流和互补型阻变特性 | 第100-111页 |
| 5.2.1 Pt/Ta_2O_5/Ta/Ta_2O_5/Pt器件的制备和结构表征 | 第100-102页 |
| 5.2.2 Pt/Ta_2O_5/Pt参考器件的无极性阻变性能及机理 | 第102-105页 |
| 5.2.3 Pt/Ta_2O_5/Ta/Ta_2O_5/Pt器件的自限流阻变性能及机理 | 第105-108页 |
| 5.2.4 Pt/Ta_2O_5/Ta/Ta_2O_5/Pt器件的互补型阻变性能及机理 | 第108-111页 |
| 5.3 本章小结 | 第111-113页 |
| 第6章 Ta_2O_5基新型互补型阻变存储器的逻辑应用 | 第113-125页 |
| 6.1 新型互补型阻变存储器的理论设计 | 第113-116页 |
| 6.2 Ta_2O_5基新型互补型阻变存储器的制备和表征 | 第116-118页 |
| 6.3 基于内在可反转二极管的逻辑运算 | 第118-120页 |
| 6.4 基于互补型阻变特性的逻辑运算 | 第120-124页 |
| 6.5 本章小结 | 第124-125页 |
| 结论 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第139-141页 |
