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铜铟镓硒薄膜太阳能电池关键材料研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
目录第8-11页
Contents第11-14页
第一章 绪论第14-30页
    1.1 太阳能电池概述第14-20页
        1.1.1 太阳能电池研究背景及意义第14-15页
        1.1.2 太阳能电池的工作原理第15-16页
        1.1.3 太阳能电池的发展历程及现状第16-17页
        1.1.4 太阳能电池的分类和特点第17-20页
    1.2 CIGS薄膜太阳能电池特点和发展历程及现状第20-22页
        1.2.1 CIGS电池的特点第20-21页
        1.2.2 CIGS电池的发展历程及研究现状第21-22页
    1.3 CIGS电池的基本结构和制备工艺第22-23页
    1.4 CIGS薄膜太阳能电池材料简介第23-28页
        1.4.1 CIGS电池电极第23-24页
        1.4.2 CIGS电池吸收层第24-27页
        1.4.3 CIGS电池缓冲层第27页
        1.4.4 CIGS电池窗口层第27-28页
    1.5 本论文的研究目标和主要工作第28-30页
第二章 CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2吸收层的制备和性能分析第30-54页
    2.1 引言第30页
    2.2 衬底的选择及清洗第30-31页
    2.3 Mo背电极层的制备和性能分析第31-33页
        2.3.1 Mo背电极的制备第31-32页
        2.3.2 Mo膜的性能分析第32-33页
    2.4 CuInSe_2吸收层的制备及性能分析第33-46页
        2.4.1 CuIn预制层的制备第33-37页
        2.4.2 硒化工艺对CuInSe_2薄膜性能影响第37-43页
        2.4.3 预置层中Cu/In原子比对CuInSe_2薄膜性能的影响第43-46页
    2.5 Cu(In,Ga)Se_2薄膜的制备与表征第46-52页
        2.5.1 CuInGa预制层的制备与表征第46-48页
        2.5.2 CuInGa预制层的硒化第48-49页
        2.5.3 Cu(In,Ga)Se_2薄膜性能分析第49-52页
    2.6 本章小结第52-54页
第三章 CdS缓冲层的制备和性能研究第54-78页
    3.1 引言第54页
    3.2 化学水浴沉积法简介第54-55页
    3.3 化学水浴法制备CdS薄膜的形成机理第55-56页
    3.4 化学水浴法制备CdS薄膜第56-61页
        3.4.1 实验仪器第56-57页
        3.4.2 实验材料第57-58页
        3.4.3 CdS薄膜的制备第58-60页
        3.4.4 表征方法第60-61页
    3.5 工艺条件对CdS薄膜性能的影响第61-76页
        3.5.1 氨水浓度对CdS薄膜性能的影响第61-67页
        3.5.2 硫脲浓度对CdS薄膜性能的影响第67-71页
        3.5.3 氯化铵浓度对CdS薄膜性能的影响第71-74页
        3.5.4 沉积温度对CdS薄膜性能的影响第74-76页
    3.6 本章小结第76-78页
第四章 新型ZnSe缓冲层的制备和性能研究第78-103页
    4.1 引言第78-79页
    4.2 ZnSe薄膜的形成机理分析第79-80页
    4.3 化学水浴法制备ZnSe薄膜第80-84页
        4.3.1 实验仪器第80页
        4.3.2 实验材料第80-81页
        4.3.3 化学水浴法制备ZnSe薄膜第81-84页
        4.3.4 表征方法第84页
    4.4 工艺条件对ZnSe薄膜性能的影响第84-101页
        4.4.1 氨水浓度对ZnSe薄膜性能的影响第84-88页
        4.4.2 水合肼浓度对ZnSe薄膜性能的影响第88-92页
        4.4.3 硫酸锌浓度对ZnSe薄膜性能的影响第92-96页
        4.4.4 沉积温度对ZnSe薄膜性能的影响第96-99页
        4.4.5 沉积时间对ZnSe薄膜性能的影响第99-101页
    4.5 本章小结第101-103页
总结与展望第103-108页
特色与创新之处第108-109页
参考文献第109-119页
攻读硕士学位期间发表的论文第119-120页
参加的项目和成果第120-122页
致谢第122页

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