| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 智能功率模块与SOI-LIGBT | 第10-11页 |
| 1.2 厚膜SOI-LIGBT器件短路特性优化设计的必要性与挑战 | 第11-13页 |
| 1.2.1 厚膜SOI-LIGBT器件短路特性优化设计的必要性 | 第11-13页 |
| 1.2.2 厚膜SOI-LIGBT器件短路特性优化设计的挑战 | 第13页 |
| 1.3 厚膜SOI-LIGBT器件结构国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的主要工作与论文组织结构 | 第17-20页 |
| 1.4.1 主要工作及指标 | 第17-18页 |
| 1.4.2 论文组织结构 | 第18-20页 |
| 第二章 厚膜SOI-LIGBT工作原理及短路特性优化设计理论 | 第20-44页 |
| 2.1 厚膜SOI-LIGBT器件工作原理 | 第20-27页 |
| 2.1.1 耐压原理 | 第20-23页 |
| 2.1.2 导通原理 | 第23-25页 |
| 2.1.3 开关原理 | 第25-27页 |
| 2.2 厚膜SOI-LIGBT器件短路失效 | 第27-33页 |
| 2.2.1 厚膜SOI-LIGBT器件短路定义及过程 | 第27-30页 |
| 2.2.2 厚膜SOI-LIGBT器件短路失效机理 | 第30-33页 |
| 2.3 厚膜SOI-LIGBT器件短路特性优化设计理论 | 第33-37页 |
| 2.3.1 抗闩锁能力的提高 | 第33-36页 |
| 2.3.2 热特性的提高 | 第36页 |
| 2.3.3 抗过冲能力的提高 | 第36-37页 |
| 2.4 SOI-LIGBT器件短路能力提升的常见结构 | 第37-43页 |
| 2.4.1 PN间隔结构仿真分析 | 第37-39页 |
| 2.4.2 SB-PSOI结构仿真分析 | 第39-41页 |
| 2.4.3 U型沟道结构仿真分析 | 第41-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 550V厚膜SOI-LIGBT器件短路特性优化设计 | 第44-72页 |
| 3.1 550V厚膜SOI-LIGBT器件基本电学参数 | 第44-47页 |
| 3.1.1 击穿电压特性 | 第45页 |
| 3.1.2 电流能力特性 | 第45-46页 |
| 3.1.3 闩锁特性 | 第46页 |
| 3.1.4 高温及其可靠性特性 | 第46-47页 |
| 3.2 550V厚膜SOI-LIGBT器件短路测试结果与分析 | 第47-53页 |
| 3.2.1 短路测试及结果 | 第47-48页 |
| 3.2.2 模拟分析 | 第48-53页 |
| 3.3 550V厚膜SOI-LIGBT器件短路失效建模与改进结构 | 第53-58页 |
| 3.3.1 热失效建模 | 第53-57页 |
| 3.3.2 载流子积累层沟槽蛇形(CSTS-LIGBT)结构的提出 | 第57-58页 |
| 3.4 CSTS-LIGBT器件的设计与仿真分析 | 第58-71页 |
| 3.4.1 阈值设计 | 第58-59页 |
| 3.4.2 耐压设计 | 第59-63页 |
| 3.4.3 电流与短路折中设计 | 第63-71页 |
| 3.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第四章 550V厚膜CSTS-LIGBT器件结构的流片及测试 | 第72-80页 |
| 4.1 550V厚膜CSTS-LIGBT器件的工艺流程设计 | 第72-74页 |
| 4.2 550V厚膜CSTS-LIGBT器件的版图设计 | 第74-75页 |
| 4.3 550V厚膜CSTS-LIGBT器件的测试结果 | 第75-78页 |
| 4.3.1 阈值电压测试 | 第75-76页 |
| 4.3.2 耐压测试 | 第76页 |
| 4.3.3 电流测试 | 第76-77页 |
| 4.3.4 闩锁测试 | 第77页 |
| 4.3.5 短路测试 | 第77-78页 |
| 4.4 本章小结 | 第78-80页 |
| 第五章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 5.1 总结 | 第80页 |
| 5.2 展望 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第88页 |
