| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 量子霍尔效应和材料的拓扑相 | 第11-12页 |
| 1.2 二维材料 | 第12-13页 |
| 1.3 二维拓扑绝缘体——量子自旋霍尔效应 | 第13-16页 |
| 1.4 反常霍尔效应和量子反常霍尔效应 | 第16-23页 |
| 1.5 二维材料中的valley自由度和valley极化的反常霍尔效应 | 第23-25页 |
| 1.6 拓扑半金属态 | 第25页 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 基本理论、方法简介 | 第27-34页 |
| 2.1 第一性原理计算(first principle calculation) | 第27页 |
| 2.2 布洛赫函数和最大局域瓦尼尔函数 | 第27-29页 |
| 2.3 贝里曲率和拓扑Chern数的计算 | 第29页 |
| 2.4 二维拓扑绝缘体中拓扑Z2数的计算 | 第29-31页 |
| 2.5 拓扑边界态的计算 | 第31-32页 |
| 2.6 本论文所采用第一性原理软件介绍 | 第32-34页 |
| 2.6.1 VASP | 第32-33页 |
| 2.6.2 QUANTUM ESPRESSO | 第33页 |
| 2.6.3 wannier90 | 第33-34页 |
| 第3章 p-p翻转宽带隙二维拓扑绝缘体: TlM(M = N，P，As，Sb) | 第34-50页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 TlM的基本结构和稳定性分析 | 第35-38页 |
| 3.3 TlM的电子性质 | 第38-41页 |
| 3.4 TlM的拓扑性质 | 第41-43页 |
| 3.5 紧束缚模型分析 | 第43-44页 |
| 3.6 应力和层数对二维TlM拓扑性质的影响 | 第44-46页 |
| 3.7 六角氮化硼与TlM的二维异质结 | 第46-48页 |
| 3.8 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 二维反铁磁Chern数绝缘体: NiRuCl_6 | 第50-69页 |
| 4.1 引言 | 第50-52页 |
| 4.2 NiRuCl_6的基本结构和低能电子性质 | 第52-54页 |
| 4.3 反铁磁磁交换机制分析 | 第54-55页 |
| 4.4 拓扑性质分析 | 第55-61页 |
| 4.5 二维NiRuCl_6与石墨烯拓扑特征的差异 | 第61-63页 |
| 4.6 NiRuCl_6的奈尔温度 | 第63-65页 |
| 4.7 不同交换关联的结果比较及NiRuCl_6实验制备可能性 | 第65-68页 |
| 4.8 本章小结 | 第68-69页 |
| 第5章 3d过渡金属对锗烯valley极化的调制 | 第69-89页 |
| 5.1 引言 | 第69-70页 |
| 5.2 锗烯的基本结构和电子性质 | 第70-71页 |
| 5.3 线性响应计算过渡金属Hubbard U值 | 第71-73页 |
| 5.4 锗烯吸附 3d过渡金属后的结构和基本电子性质 | 第73-81页 |
| 5.5 valley极化的反常霍尔电导 | 第81-85页 |
| 5.6 valley极化电流的产生 | 第85-88页 |
| 5.7 本章小结 | 第88-89页 |
| 第6章 二维B_2C中的拓扑半金属态 | 第89-98页 |
| 6.1 引言 | 第89-90页 |
| 6.2 结构和稳定性分析 | 第90页 |
| 6.3 低能电子结构分析 | 第90-92页 |
| 6.4 B_2C的节点线半金属拓扑态 | 第92-97页 |
| 6.5 本章小结 | 第97-98页 |
| 第7章 总结和展望 | 第98-100页 |
| 7.1 总结 | 第98-99页 |
| 7.2 展望 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与科研项目 | 第111-113页 |
