有机分子结构调制对有机/铁磁界面自旋极化的影响
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 有机自旋电子学简介 | 第9-10页 |
| 1.2 有机自旋器件 | 第10-16页 |
| 1.2.1 有机自旋阀 | 第10-15页 |
| 1.2.2 有机磁体材料 | 第15-16页 |
| 1.3 有机铁磁界面 | 第16-19页 |
| 1.4 拟开展的研究内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-25页 |
| 第二章 计算原理及理论方法 | 第25-31页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第25-27页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi近似 | 第25-26页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第26页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.1.4 交换相关能量泛函 | 第27页 |
| 2.2 VASP程序包介绍 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 末端集团对有机/铁磁界面自旋极化的影响 | 第31-41页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 理论模型及计算方法 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-37页 |
| 3.4 小结 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第四章 侧基对有机/铁磁界面自旋极化的影响 | 第41-51页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 理论模型及计算方法 | 第42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-47页 |
| 4.4 小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第51页 |
| 5.2 工作展望 | 第51-53页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
