| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外GaN器件及GaN基内匹配功率放大器发展动态 | 第12-15页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 放大器设计的理论分析基础 | 第17-31页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件简介 | 第17-21页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理 | 第17-18页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的特性表征 | 第18-20页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN HEMT器件的工艺 | 第20-21页 |
| 2.2 功率放大器的指标参量 | 第21-25页 |
| 2.2.1 主要指标参量 | 第22-24页 |
| 2.2.2 非线性 | 第24页 |
| 2.2.3 稳定性 | 第24-25页 |
| 2.3 功率放大器的类型 | 第25-30页 |
| 2.3.1 经典放大器类型 | 第26-28页 |
| 2.3.2 放大器类型与RF输出的关系 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 内匹配功率放大器实现的关键技术 | 第31-45页 |
| 3.1 负载牵引技术 | 第31-32页 |
| 3.2 谐波平衡法 | 第32-33页 |
| 3.3 宽带匹配设计技术 | 第33-40页 |
| 3.3.1 Bode-Fano定理 | 第34-35页 |
| 3.3.2 宽带电路结构 | 第35-37页 |
| 3.3.3 宽带匹配网络 | 第37-40页 |
| 3.4 无源电路结构简介 | 第40-44页 |
| 3.4.1 介质基片 | 第40-41页 |
| 3.4.2 电阻 | 第41页 |
| 3.4.3 电容 | 第41-42页 |
| 3.4.4 电感 | 第42-43页 |
| 3.4.5 键合金丝 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 内匹配功率放大器设计 | 第45-57页 |
| 4.1 功率放大器设计总纲 | 第45-46页 |
| 4.2 直流特性分析 | 第46-47页 |
| 4.3 稳定性分析 | 第47-48页 |
| 4.4 源/负载牵引分析 | 第48-50页 |
| 4.5 匹配网络实现 | 第50-55页 |
| 4.5.1 匹配方案论证 | 第50-51页 |
| 4.5.2 匹配网络初值计算 | 第51-55页 |
| 4.6 谐波平衡分析 | 第55-56页 |
| 4.7 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 功率放大器的加工与测试分析 | 第57-65页 |
| 5.1 封装管壳 | 第57页 |
| 5.2 薄膜电路制版与装配 | 第57-59页 |
| 5.3 测试与结果分析 | 第59-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 攻硕期间取得研究成果 | 第75-76页 |
