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局域表面等离激元增强半导体量子结构光致发光

摘要第5-8页
Abstract第8-11页
第一章 绪论第18-56页
    1.1 LED及其发展历程第18-20页
    1.2 LED的发光机理第20-23页
        1.2.1 发光的内量子机理第21-22页
        1.2.2 外量子发光机理第22-23页
    1.3 GaN基量子阱中的量子限制Stark效应(QCSE)第23-29页
        1.3.1 压应力、压电场及能带偏移第23-25页
        1.3.2 量子限制斯塔克效应(QCSE)的屏蔽以及发光效率的提高第25-29页
            ⅰ 通过掺杂屏蔽量子限制斯塔克效应(QCSE)第26-27页
            ⅱ 非极性外延结构第27-28页
            ⅲ 应变场以及电子能带第28-29页
            ⅳ 立方结构的Ⅲ-族氮化合物第29页
    1.4 表面等离激元第29-33页
        1.4.1 表面极化等离激元第30-31页
        1.4.2 局域表面等离激元第31-33页
    1.5 LED发光效率增强第33-39页
        1.5.1 表面等离激元(SP)耦合增强内量子效率(IQE)第33-36页
        1.5.2 提高LED外量子效率第36-38页
        1.5.3 SP-QW耦合综合提高LED内、外量子效率第38-39页
    1.6 论文结构以及研究内容第39-42页
    参考文献第42-56页
第二章 表面等离激元-量子阱耦合结构的制备与表征第56-80页
    2.1 引言第56页
    2.2 银纳米粒子点阵制备与表征第56-63页
        2.2.1 Ag NPs生长条件与形貌的探究第57-59页
        2.2.2 Ag NPs的形态及表面等离激元共振特性第59-63页
    2.3 光致发光特性的测量第63-65页
        2.3.1 常温光致发光(PL)谱的测量第63-64页
        2.3.2 变温PL谱的测量装置第64页
        2.3.3 时间分辨光致发光谱(TRPL)的测量第64-65页
    2.4 GaN基量子阱与金属微纳结构间的隔离层的制备第65-71页
        2.4.1 等离子体增强化学气相沉积制备氮化硅隔离层第65-66页
        2.4.2 原子层沉积制备GaN和Al_2O_3隔离层第66-71页
    2.5 不同介质隔离层与银纳米粒子点阵间的耦合情况第71-73页
    2.6 本章小结第73-75页
    参考文献第75-80页
第三章 覆盖Ag纳米粒子点阵的GaN基量子阱的光致发光增强定量分析第80-99页
    3.1 引言第80页
    3.2 覆盖Ag纳米粒子点阵的GaN基量子阱常温PL谱的测量与定量分析第80-91页
        3.2.1 常温下量子阱的PL增强的测量第80-82页
        3.2.2 量子阱PL增强倍数的定量分析第82-91页
    3.3 覆盖Ag纳米粒子点阵的GaN单量子阱变温PL分析第91-94页
    3.4 覆盖银纳米粒子点阵的GaN基单量子阱变温辐射复合寿命第94-95页
    3.5 本章小结第95-97页
    参考文献第97-99页
第四章 GaN基量子阱在局域表面等离激元耦合下的载流子动力学第99-112页
    4.1 引言第99页
    4.2 覆盖Ag纳米粒子的多量子阱(MQWs)变温PL谱的测量与分析第99-103页
    4.3 覆盖Ag纳米粒子的多量子阱(MQWs)变温发光寿命谱的分析第103-106页
    4.4 外加电场对量子阱中载流子动力学的影响第106-108页
    4.5 本章小结第108-109页
    参考文献第109-112页
第五章 Ag纳米粒子点阵对量子阱的发光淬灭与光电流的产生第112-122页
    5.1 引言第112页
    5.2 Ag纳米粒子与量子阱直接接触对其PL及TRPL的影响第112-116页
    5.3 沉积银纳米粒子点阵量子阱复合体的光电流产生第116-117页
    5.4 本章小结第117-119页
    参考文献第119-122页
第六章 总结与展望第122-125页
    6.1 论文总结第122-123页
    6.2 研究展望第123-125页
攻读博士学位期间的科研成果第125-126页
    已发表的论文第125-126页
致谢第126-128页

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