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双电子注Smith-Purcell超辐射的模拟研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 太赫兹科学技术简介第10-13页
        1.1.1 太赫兹波简介第10-11页
        1.1.2 太赫兹技术的应用第11-12页
        1.1.3 太赫兹辐射源第12-13页
    1.2 史密斯-帕赛尔超辐射现象第13-15页
        1.2.1 史密斯-帕赛尔效应第13页
        1.2.2 史密斯-帕赛尔超辐射现象的发现第13-14页
        1.2.3 超辐射的研究动态第14-15页
    1.3 本论文的创新点及主要工作第15-16页
第二章 亚波长孔阵列波导结构色散的分析第16-32页
    2.1 周期系统第16-19页
        2.1.1 均匀系统与周期系统的差别第16-17页
        2.1.2 周期系统中的弗洛奎定理第17-19页
    2.2 慢波系统的色散特性第19-20页
        2.2.1 慢波系统第19-20页
        2.2.2 色散特性第20页
    2.3 冷腔系统中的色散分析第20-31页
        2.3.1 各分区的场的求解第21-24页
        2.3.2 边界匹配第24-27页
        2.3.3 色散方程第27-29页
        2.3.4 冷腔色散特性的分析第29-31页
    2.4 本章小结第31-32页
第三章 基于亚波长孔阵列波导结构的模拟研究第32-71页
    3.1 仿真软件介绍第32页
        3.1.1 粒子模拟软件第32页
        3.1.2 仿真软件CST微波工作室第32页
    3.2 理论色散与模拟色散对比第32-38页
        3.2.1 粒子模拟软件绘制色散曲线第33-35页
        3.2.2 仿真软件CST绘制色散曲线第35-37页
        3.2.3 三种色散曲线的比较第37-38页
    3.3 基波频率为 100GHz的二维模拟第38-55页
        3.3.1 模拟结构及参数第38-39页
        3.3.2 非相干Smith-Purcell辐射第39-40页
        3.3.3 相干Smith-Purcell辐射第40-45页
        3.3.4 起振电流分析第45-55页
        3.3.5 三种结果比较第55页
    3.4 基波频率为 300GHz的二维模拟第55-63页
        3.4.1 模拟参数第56-59页
        3.4.2 起振电流比较第59-63页
        3.4.3 三种结果比较第63页
    3.5 三维模拟第63-70页
        3.5.1 横向尺寸对传播模式的影响第64页
        3.5.2 横向尺寸对色散的影响第64-65页
        3.5.3 最终参数第65-70页
    3.6 本章小结第70-71页
第四章 总结与展望第71-72页
致谢第72-73页
参考文献第73-76页

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