| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 选题依据及研究内容 | 第15-17页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第15页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 ITO及In_2O_3薄膜的制备及性能研究 | 第17-35页 |
| 2.1 磁控溅射简介 | 第17-18页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第18-20页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第18页 |
| 2.2.2 四探针测试仪 | 第18-19页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第19页 |
| 2.2.4 X射线衍射仪 | 第19-20页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱分析仪 | 第20页 |
| 2.3 ITO薄膜的制备及性能研究 | 第20-31页 |
| 2.3.1 溅射氮分压对ITO薄膜微结构及电学性能的影响 | 第20-22页 |
| 2.3.2 退火温度对ITO薄膜微结构及电学性能的影响 | 第22-24页 |
| 2.3.3 退火气氛对ITO薄膜微结构及电学性能的影响 | 第24-26页 |
| 2.3.4 两步退火工艺对ITO薄膜微结构及电学性能的影响 | 第26-31页 |
| 2.4 In_2O_3薄膜的制备及性能研究 | 第31-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 陶瓷基ITO/In_2O_3薄膜热电偶的制备及性能研究 | 第35-51页 |
| 3.1 薄膜热电偶的基本原理 | 第35-40页 |
| 3.1.1 赛贝克效应 | 第35-37页 |
| 3.1.2 热电偶回路定律 | 第37-38页 |
| 3.1.3 薄膜热电偶的标定原理 | 第38-40页 |
| 3.2 ITO电极溅射氮分压对ITO/In_2O_3薄膜热电偶热电性能的影响 | 第40-45页 |
| 3.2.1 ITO/In_2O_3薄膜热电偶的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.2 ITO/In_2O_3薄膜热电偶的热电性能分析 | 第41-45页 |
| 3.3 In_2O_3电极溅射氮分压对ITO/In_2O_3薄膜热电偶热电性能的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.1 ITO/In_2O_3薄膜热电偶的制备 | 第45页 |
| 3.3.2 ITO/In_2O_3薄膜热电偶的热电性能分析 | 第45-47页 |
| 3.4 退火工艺对ITO/In_2O_3薄膜热电偶热电性能的影响 | 第47-50页 |
| 3.4.1 ITO/In_2O_3薄膜热电偶的制备 | 第47页 |
| 3.4.2 ITO/In_2O_3薄膜热电偶的热电性能分析 | 第47-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 金属基ITO/In_2O_3薄膜热电偶的制备及性能研究 | 第51-58页 |
| 4.1 金属基ITO/In_2O_3薄膜热电偶的结构 | 第51-52页 |
| 4.2 Al-O-N/Al_2O_3复合绝缘层的制备及性能研究 | 第52-54页 |
| 4.3 金属基ITO/In_2O_3薄膜热电偶的制备 | 第54-55页 |
| 4.4 金属基ITO/In_2O_3薄膜热电偶的热电性能分析 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 结论 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-66页 |
