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束流损失监控系统电离室的改进和试制

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-11页
第二章 课题研究背景第11-16页
   ·中子源第11页
   ·中国散裂中子源第11-13页
   ·束流损失监测系统第13-15页
   ·γ灵敏电离室初样的研究第15-16页
第三章 γ灵敏电离室及初样的不足第16-26页
   ·电离室基本原理第16-20页
     ·γ射线与电离室内物质的相互作用第16-18页
     ·电离室信号的形成机制第18-20页
   ·初样电离室的设计第20-22页
     ·初样电离室规格尺寸及材料第21页
     ·工作气体及电压第21-22页
   ·电离室的性能指标及初样性能分析第22-25页
     ·饱和特性第22-23页
     ·线性范围第23页
     ·响应时间第23-24页
     ·灵敏度第24-25页
   ·总结初样电离室的不足第25-26页
第四章 电离室改进设计第26-32页
   ·工作气体的优化第26-28页
   ·电极改进设计第28-30页
   ·绝缘端子第30-32页
第五章 电离室改进后的性能测试第32-42页
   ·实验装置第32页
   ·电离室改进后的性能测试第32-37页
     ·饱和特性第33-35页
     ·线性范围第35-36页
     ·灵敏度第36-37页
   ·电离室响应实验第37-41页
     ·检查电离室坪特性曲线第38-39页
     ·电离室对束流偏转方向变化的响应第39-40页
     ·无束流情况下的本底第40-41页
   ·本章小结第41-42页
第六章 电离室小批量试制第42-47页
   ·耐高压性与坪特性曲线第42-43页
   ·一致性检验第43-44页
   ·线性响应的抽样检测第44-45页
   ·电离室的灵敏度检测第45-46页
   ·本章小结第46-47页
第七章 总结及展望第47-48页
参考文献第48-51页
附录第51-57页
 附录A IC-04在RFQ上加不同高压所得直方图第51-52页
 附录B IC-04在RFQ上做束流南北偏转实验所得直方图第52-54页
 附录C IC-04在RFQ上无束流情况下测本底不同电压下直方图第54-55页
 附录D 小批量试制10个电离室的坪特性曲线第55-57页
致谢第57-58页
攻读学位期间发表论文情况第58页

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