微结构半导体中子探测器技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-20页 |
| ·国外研究现状 | 第14-19页 |
| ·国内研究现状 | 第19-20页 |
| ·主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 微结构半导体探测器物理设计 | 第22-48页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·材料的选择 | 第22-25页 |
| ·衬底材料的选择 | 第22-23页 |
| ·中子转换材料的选择 | 第23-25页 |
| ·结构与参数的确定 | 第25-30页 |
| ·沟槽宽度、孔直径、柱直径及其间距的参数选择 | 第27页 |
| ·沟槽深度、孔深度和柱高度的参数选择 | 第27-28页 |
| ·中子转换材料填充密度的选择 | 第28-30页 |
| ·其它条件的考虑 | 第30页 |
| ·Geant4模拟结果 | 第30-46页 |
| ·沟槽结构模拟结果 | 第31-33页 |
| ·孔结构模拟结果 | 第33-36页 |
| ·柱结构模拟结果 | 第36-39页 |
| ·三种结构模拟结果的对比 | 第39-44页 |
| ·中子转换材料的填充密度对模拟结果的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 微结构半导体探测器制备工艺研究 | 第48-61页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·硅衬底的刻蚀 | 第48-50页 |
| ·PN结的制作 | 第50页 |
| ·中子转换材料填充工艺研究 | 第50-60页 |
| ·超声振动填充 | 第51-52页 |
| ·电子束蒸发填充 | 第52-55页 |
| ·离心填充 | 第55-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 微结构半导体探测器对α粒子的响应研究 | 第61-65页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·电学性能测试 | 第61-62页 |
| ·对α粒子的响应特性研究 | 第62-64页 |
| ·实验原理与布局 | 第62-63页 |
| ·实验结果与讨论 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 微结构半导体探测器中子探测技术研究 | 第65-74页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·中子探测实验方案设计 | 第65-68页 |
| ·中子探测实验布局与结果分析 | 第68-73页 |
| ·实验布局 | 第68-70页 |
| ·实验结果与讨论 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结论与后续研究方向 | 第74-77页 |
| ·主要结论 | 第74-75页 |
| ·本论文的创新点 | 第75页 |
| ·后续研究方向 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 附录 | 第83-84页 |
