| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·白光LED概述 | 第8-12页 |
| ·(近)紫外LED芯片用发光材料研究进展 | 第12-18页 |
| ·三种典型(近)紫外LED芯片用发光材料介绍 | 第12-14页 |
| ·(近)紫外LED用硅酸盐发光材料概述 | 第14-18页 |
| ·选题意义、思路及论文结构 | 第18-21页 |
| ·选题意义 | 第18-19页 |
| ·选题思路及内容 | 第19页 |
| ·论文结构 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 实验 | 第24-30页 |
| ·样品的制备 | 第24-25页 |
| ·样品的制备方法 | 第24页 |
| ·实验原料 | 第24-25页 |
| ·实验设备 | 第25页 |
| ·样品的测试与表征 | 第25-30页 |
| ·X-射线粉末衍射 | 第25-26页 |
| ·UV-VUV光谱及变温光谱 | 第26-27页 |
| ·荧光寿命 | 第27页 |
| ·UV-VIS吸收、反射光谱 | 第27-28页 |
| ·阴极射线光谱 | 第28页 |
| ·荧光效率 | 第28-29页 |
| ·CIE色度坐标 | 第29-30页 |
| 第三章 Eu~(3+),Tb~(3+),Ce~(3+)掺杂的ZnO-Y_2Si_2O_7的制备及发光性能研究 | 第30-38页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验 | 第30-31页 |
| ·测试结果及分析 | 第31-36页 |
| ·Y_2Si_2O_7-ZnO (YZO)的物相分析 | 第31-32页 |
| ·Eu~(3+),Tb~(3+),Ce~(3+)掺杂的ZnO-Y2Si_2O_7的光谱分析 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 Ce~(3+),Tb~(3+)掺杂的MgGd_4Si_3O_(13)的制备及发光性能研究 | 第38-62页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验 | 第38-39页 |
| ·实验结果与讨论 | 第39-59页 |
| ·MgGd_4Si_3O_(13)的晶体结构分析 | 第39-40页 |
| ·未掺杂MgGd_4Si_3O_(13)的光谱测试结果及能级分析 | 第40-43页 |
| ·Ce~(3+)掺杂的MgGd_4Si_3O_(13)的光谱测试及分析 | 第43-45页 |
| ·Tb~(3+)掺杂的MgGd_4Si_3O_(13)的光谱测试及分析 | 第45-46页 |
| ·Ce~(3+),Tb~(3+)共掺的MgGd_4Si_3O_(13)的晶体结构及能量传递现象分析 | 第46-57页 |
| ·Tb~(3+)及Ce~(3+),Tb~(3+)共掺的MgGd_4Si_3O_(13)的阴极射线光谱测试及分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·主要结论 | 第62页 |
| ·研究展望 | 第62-64页 |
| 在校期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
