| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| ·引言 | 第10-13页 |
| ·光导开关原理 | 第13页 |
| ·半绝缘半导体材料 | 第13-21页 |
| ·半绝缘半导体材料的形成 | 第14页 |
| ·半绝缘 Si 晶体材料 | 第14页 |
| ·半绝缘 GaAs 晶体材料 | 第14-15页 |
| ·半绝缘 SiC 晶体材料 | 第15-21页 |
| ·碳化硅晶片加工 | 第18页 |
| ·碳化硅晶体缺陷 | 第18-19页 |
| ·碳化硅晶体的光吸收性质 | 第19-21页 |
| ·光导开关的发展历程 | 第21-27页 |
| ·Si 基 PCSS | 第22页 |
| ·GaAs 基 PCSS | 第22-25页 |
| ·SiC 基 PCSS | 第25-27页 |
| ·光导开关欧姆接触的研究现状及存在问题 | 第27-29页 |
| ·本文的研究意义 | 第29-30页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第30-31页 |
| 第二章 样品制备与表征方法 | 第31-41页 |
| ·样品制备 | 第31-34页 |
| ·磁控溅射制备电极 | 第31-32页 |
| ·光刻 | 第32-33页 |
| ·刻蚀 | 第33页 |
| ·退火处理 | 第33-34页 |
| ·样品表征 | 第34-37页 |
| ·薄膜电极的物相结构分析 | 第34-35页 |
| ·霍尔四探针 I-V 测试 | 第35-36页 |
| ·薄膜电极表面形貌分析 | 第36-37页 |
| ·光导开关测试平台的搭建 | 第37-41页 |
| 第三章 欧姆接触制备与性能研究 | 第41-54页 |
| ·欧姆接触样品制备 | 第41-43页 |
| ·Ti/SiC 体系欧姆接触的制备与性能研究 | 第43-50页 |
| ·比接触电阻率计算 | 第43-44页 |
| ·I-V 测试 | 第44-45页 |
| ·物相分析 | 第45-46页 |
| ·形貌分析 | 第46-48页 |
| ·元素分析 | 第48页 |
| ·欧姆接触形成机理分析 | 第48-50页 |
| ·Si/Ti/SiC 体系欧姆接触的制备与性能研究 | 第50-54页 |
| 第四章 SiC 光导开关制备与性能研究 | 第54-69页 |
| ·光导开关材料 | 第54-55页 |
| ·光导开关结构设计 | 第55-56页 |
| ·同面横向结构的 SiC PCSS | 第56-66页 |
| ·同面横向结构的 SiC PCSS 测试 | 第57-59页 |
| ·激光能量不变条件 SiC PCSS 的测试 | 第59-62页 |
| ·场强不变条件下 SiC PCSS 的测试 | 第62-66页 |
| ·耐压特性与绝缘保护 | 第66-69页 |
| 第五章 结论与展望 | 第69-71页 |
| ·结论 | 第69页 |
| ·展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-83页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第83页 |