| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| ·NEA光电发射材料概述 | 第7-8页 |
| ·表面光电压及其测试技术 | 第8-12页 |
| ·表面光电压产生原理 | 第8-10页 |
| ·表面光电压谱的测量方法 | 第10-11页 |
| ·表面光电压谱的应用 | 第11-12页 |
| ·本文研究背景 | 第12-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 2 紫外光电发射材料表面光电压谱测试系统研制 | 第15-31页 |
| ·GaAs光电阴极表面光电压谱测试系统 | 第15-19页 |
| ·表面光电压谱测试系统构成 | 第15-18页 |
| ·紫外测量的改进方案 | 第18-19页 |
| ·紫外单色光扫描系统设计 | 第19-20页 |
| ·光电池的改进设计 | 第20-22页 |
| ·紫外光电发射材料光电压谱测试软件 | 第22-30页 |
| ·自动标定软件模块 | 第22-24页 |
| ·光电压谱测试软件 | 第24-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 紫外表面光电压谱测试系统性能研究 | 第31-41页 |
| ·硅表面光电压理论模型 | 第31-35页 |
| ·不同波长、光强下硅表面光电压 | 第35-36页 |
| ·紫外波段硅表面光电压谱 | 第36-38页 |
| ·光电压池内MIS结构对表面光电压的影响 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 4 GaN光阴极材料表面光电压分析 | 第41-51页 |
| ·GaN光阴极材料表面光电压成因分析 | 第41-43页 |
| ·GaN光阴极材料表面光电压模型推导 | 第43-47页 |
| ·GaN发射层表面空间电荷区光电压计算 | 第43-45页 |
| ·GaN发射层与GaN缓冲层间空间电荷区光电压计算 | 第45-47页 |
| ·GaN缓冲层与Al_2O_3衬底间界面光电压计算 | 第47页 |
| ·GaN光阴极材料光电压谱分析 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 结束语 | 第51-53页 |
| ·论文工作总结 | 第51页 |
| ·有待完善的工作 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |