| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第9-12页 |
| ·研究现状 | 第12-13页 |
| ·实验研究现状 | 第12-13页 |
| ·理论研究现状 | 第13页 |
| ·课题的来源和主要内容 | 第13-15页 |
| 第2章 理论基础及计算方法 | 第15-24页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第15-20页 |
| ·Thomas-Fermi方法 | 第15-17页 |
| ·Hoenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| ·Kohn-Sham定理 | 第18-20页 |
| ·非平衡格林函数 | 第20-22页 |
| ·计算方法与模型 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 n对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第24-34页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·k=1 时n对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第24-27页 |
| ·k=2 时n对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第27-29页 |
| ·k=3 时n对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第29-31页 |
| ·k=4 时n对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第31-33页 |
| ·MPSH态 | 第33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 k对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第34-45页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·n=3 时k对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第34-36页 |
| ·n=4 时k对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第36-38页 |
| ·n=5 时k对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第38-41页 |
| ·n=6 时k对(Si_nC_4)_k输运性质的影响 | 第41-43页 |
| ·MPSH态 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 负微分电阻效应 | 第45-49页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·((Si_5C_4)_4的负微分电阻效应(NDR) | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
