| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·红外隐身的概述 | 第11-12页 |
| ·红外隐身的意义 | 第11页 |
| ·外隐身的主要波段 | 第11-12页 |
| ·外隐身的原理与技术途径 | 第12-14页 |
| ·红外隐身的原理 | 第12页 |
| ·红外隐身的技术途径 | 第12-14页 |
| ·发射率的相关理论 | 第14-16页 |
| ·发射率的定义与分类 | 第14-15页 |
| ·发射率的影响因素 | 第15页 |
| ·外发射率的测试原理 | 第15-16页 |
| ·低发射率涂层研究现状及发展趋势 | 第16-18页 |
| ·低发射率涂层的研究现状 | 第16-17页 |
| ·低发射率涂层的发展趋势 | 第17-18页 |
| ·炭/炭复合材料抗氧化涂层 | 第18-23页 |
| ·抗氧化涂层材料的选择 | 第18-21页 |
| ·抗氧化涂层体系 | 第21-23页 |
| ·抗氧化涂层的制备方法 | 第23-25页 |
| ·化学气相沉积 | 第23-24页 |
| ·物理气体沉积 | 第24页 |
| ·刷涂法 | 第24-25页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第25页 |
| ·包埋法 | 第25页 |
| ·本论文的主要研究思路和研究内容 | 第25-26页 |
| ·本论文在学术方面的创新和预期成果 | 第26-27页 |
| 2 实验方法 | 第27-34页 |
| ·实验材料 | 第27页 |
| ·实验设备 | 第27-30页 |
| ·真空碳管烧结炉 | 第27-28页 |
| ·CVD设备 | 第28-29页 |
| ·管式氧化炉 | 第29-30页 |
| ·实验方法 | 第30-31页 |
| ·包埋法(PC)制备SiC涂层 | 第30页 |
| ·化学气相反应法(CVR)制备SiC涂层 | 第30页 |
| ·CVD法制备SiC涂层 | 第30-31页 |
| ·SiC/ZSO复合涂层的制备 | 第31页 |
| ·涂层的表征及性能检测 | 第31-34页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)及能谱仪(EDS)分析 | 第31页 |
| ·热分析 | 第31页 |
| ·涂层红外发射率分析 | 第31-32页 |
| ·抗氧化性能检测 | 第32-34页 |
| 3 SiC涂层的制备及抗氧化性能研究 | 第34-52页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·SiC涂层的组成 | 第34-35页 |
| ·SiC涂层的形貌结构显微结构 | 第35-37页 |
| ·SiC涂层1500℃下静态空气的抗氧化性能 | 第37-38页 |
| ·SiC涂层1500℃恒温氧化过程中的结构演变及失效 | 第38-49页 |
| ·SiC涂层第1氧化阶段 | 第40-45页 |
| ·SiC涂层第2氧化阶段 | 第45-46页 |
| ·SiC涂层第3氧化阶段 | 第46-48页 |
| ·SiC涂层1500℃下的恒温氧化失效分析 | 第48-49页 |
| ·PC法SiC涂层变温氧化 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 4 SiC/ZSO复合涂层抗氧化性能研究 | 第52-58页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·SiC/ZSO涂层1500℃下的氧化过程与结构演变 | 第52-56页 |
| ·SiC/ZSO涂层的抗氧化机理 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 5 SiC及SiC/ZSO涂层的红外发射率初探 | 第58-65页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·不同结构的SiC涂层红外发射率 | 第58-61页 |
| ·温度对红外发射率影响 | 第61-63页 |
| ·SiC/ZSO系涂层红外发射率研究展望 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 6 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第72页 |