| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·TFT 的应用 | 第9-10页 |
| ·TFT 的发展历程及现状 | 第10-12页 |
| ·TFT 的基本结构及工作原理 | 第12-17页 |
| ·TFT 的器件结构 | 第12-13页 |
| ·TFT 的工作原理 | 第13-15页 |
| ·TFT 的电学性能参数 | 第15-17页 |
| ·氧化物 TFT 存在的问题和研究趋势 | 第17-18页 |
| ·本论文的研究思路和主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 ZAO TFT 的制备及其电学性能研究 | 第19-31页 |
| ·ZAO TFT 的制备 | 第19-23页 |
| ·ZAO TFT 的结构设计 | 第19页 |
| ·ZAO 靶材的制备 | 第19-20页 |
| ·ZAO TFT 各层的制备 | 第20-23页 |
| ·氧化物 TFT 的表征方法 | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第23页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第23页 |
| ·半导体参数测试仪 | 第23-24页 |
| ·功函数测试仪 | 第24页 |
| ·退火温度对 ZAO TFT 电学性能的影响 | 第24-26页 |
| ·不同退火温度下 ZAO TFT 的输出特性 | 第24-25页 |
| ·不同退火温度下 ZAO TFT 的电流偏移 | 第25-26页 |
| ·沟道宽长比对 ZAO TFT 电学性能的影响 | 第26-29页 |
| ·不同沟道宽长比下 ZAO TFT 的输出特性 | 第27-29页 |
| ·不同沟道宽长比下 ZAO TFT 的电流偏移 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 ZAO 薄膜的沉积条件对 ZAO TFT 性能的影响 | 第31-51页 |
| ·氧气压强对 ZAO TFT 电学性能的影响 | 第31-33页 |
| ·不同氧气压强下 ZAO TFT 的输出特性 | 第31-32页 |
| ·不同氧气压强下 ZAO TFT 的电流偏移 | 第32-33页 |
| ·激光能量对 ZAO TFT 电学性能的影响 | 第33-35页 |
| ·不同激光能量下 ZAO TFT 的输出特性 | 第33-35页 |
| ·不同激光能量下 ZAO TFT 的电流偏移 | 第35页 |
| ·高激光能量下不同衬底温度对 ZAO TFT 性能的影响 | 第35-41页 |
| ·ZAO TFT 的结构形貌性能 | 第36-37页 |
| ·ZAO TFT 的电学性能 | 第37-41页 |
| ·低激光能量下不同衬底温度对 ZAO TFT 性能的影响 | 第41-49页 |
| ·退火前 ZAO TFT 的结构形貌性能 | 第42-43页 |
| ·退火前 ZAO TFT 的电学性能 | 第43-45页 |
| ·退火后 ZAO TFT 的结构形貌性能 | 第45-47页 |
| ·退火后 ZAO TFT 的电学性能 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 ZAO TFT 的电流偏移模拟 | 第51-56页 |
| ·ZAO TFT 电流偏移的模型 | 第51-52页 |
| ·ZAO TFT 电流偏移的模拟 | 第52-55页 |
| ·器件参数的提取及电流偏移的模拟 | 第52页 |
| ·漏电流对电流偏移的影响 | 第52-54页 |
| ·源漏电极电势差对电流偏移的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第65页 |
