二维电子气制备与低温输运测量
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 二维电子气样品的制备与测量 | 第8-21页 |
| ·砷化镓异质结 | 第8-12页 |
| ·概况 | 第8-9页 |
| ·GaAs晶体结构 | 第9页 |
| ·GaAs/AlxGa_(1-x)As界面 | 第9-12页 |
| ·实验技术 | 第12-15页 |
| ·样品制备 | 第12-15页 |
| ·交流输运测量 | 第15-20页 |
| ·低频输运测量 | 第15-17页 |
| ·测量线路 | 第17-20页 |
| 参考文献 | 第20-21页 |
| 第二章 低温技术 | 第21-28页 |
| ·低温液体 | 第21-24页 |
| ·液氮 | 第21页 |
| ·液氦 | 第21-24页 |
| ·低温制冷机 | 第24-27页 |
| ·~3He制冷机 | 第24-25页 |
| ·稀释制冷机 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 磁场中的二维电子气 | 第28-37页 |
| ·经典磁输运 | 第28-29页 |
| ·整数量子霍尔效应 | 第29-36页 |
| ·朗道能级 | 第29页 |
| ·局域态 | 第29-30页 |
| ·自旋 | 第30-31页 |
| ·整数量子霍尔效应 | 第31-32页 |
| ·边缘态 | 第32-33页 |
| ·分数量子霍尔效应 | 第33-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第四章 砷化镓二维电子气的低温实验研究 | 第37-47页 |
| ·半导体中迁移率与浓度的关系 | 第37-38页 |
| ·门电压调节化学势和浓度 | 第38-39页 |
| ·门压调节电子浓度的分析 | 第38-39页 |
| ·顶栅的厚度 | 第39页 |
| ·欧姆接触 | 第39-40页 |
| ·实验目的以及数据分析 | 第40-46页 |
| ·实验目的与内容 | 第40-41页 |
| ·实验数据分析 | 第41-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
